[实用新型]绝缘栅双极型晶体管模块有效
申请号: | 201720081079.4 | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN206574711U | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 姚礼军 | 申请(专利权)人: | 上海道之科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/373;H01L23/50;H01L23/31 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司33101 | 代理人: | 翁霁明 |
地址: | 201800 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 栅双极型 晶体管 模块 | ||
1.绝缘栅双极型晶体管模块,包括绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)、绝缘基板(1)、功率端子(3)、功率圆柱(2)、铝线(8)、塑料外壳(4)、硅凝胶(5)、热敏电阻(7),其特征在于所述的绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)和功率圆柱(2)通过回流焊焊接在绝缘基板(1)导电铜层上;绝缘栅双极型晶体管芯片(9)和二极管芯片(6)之间、绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)与绝缘基板(1)相应的导电层之间均通过铝线(8)键合来实现电气连接;塑料外壳(4)和绝缘基板(1)通过密封胶粘接;所述的绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)、绝缘基板(1)、功率圆柱(2)、铝线(8)以及热敏电阻(7)均覆盖有能提高各原件之间的耐压绝缘硅凝胶(5);用于把整个模块固定安装在散热器上的固定卡片(10)被注塑于塑料外壳(4)内。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述的绝缘基板(1)由上铜层(120)、下铜层(130)以及中间夹着的一层陶瓷(110)经烧结而成,上铜层(120)和下铜层(130)采用纯铜或者铜合金材料,中间的陶瓷(110)采用氧化铝(AL2O3)、氮化铝(ALN)或氧化铍(BeO)绝缘性能和散热性能良好的陶瓷材料制成;
所述的功率圆柱(2)采用纯铜或者铜合金材料,表层裸铜或者电镀金、镍或锡可焊接金属材料层;
所述的功率端子(3)也采用纯铜或者铜合金材料,表层裸铜或者电镀金,镍,锡等可焊接金属材料层。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述功率圆柱(2)的内部孔形状是正方形、圆形或菱形;所述功率圆柱(2)的内部孔是通孔或是盲孔;所述的功率端子(3)外形形状是正方形、圆形或菱形;所述的功率端子(3)和功率圆柱(2)通过接插配合连接,或通过焊接配合连接,或通过铆接压紧配合连接,或通过粘导电胶连接。
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述的塑料外壳(4)采用耐高温且绝缘性能良好的PBT,PPS,尼龙材料制成;所述的硅凝胶(5)是绝缘性涂料,且覆盖在绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)、绝缘基板(1)、热敏电阻(7)、功率圆柱(2)、铝线(8)上面;
所述的铝线(8)采用纯铝或铝合金材料,通过超声波方式被键合连接于绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、绝缘基板(1)和二极管芯片(6)。
5.根据权利要求1或2或4所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述的缘栅双极型晶体管芯片(9)与绝缘基板(1)之间、绝缘基板(1)与二极管芯片(6)之间、绝缘基板(1)与功率圆柱(2)之间、绝缘基板(1)与热敏电阻(7)之间均通过焊接方式连接,所述的焊接采用含Sn的Snpb、SnAg、SnAgCu或PbSnAg焊接材料,焊接最高温度控制在100—400℃之间。
6.根据权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述绝缘基板(1)为弧形弯曲预变形基板,其中的弯曲度按要求确定,且对于长度为55mm的弧形绝缘基板(1),其弯曲程度控制在弧顶高出边端负0.10mm和0.15mm之间。
7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述绝缘基板(1)的上铜层(120)厚度A从0.1毫米到3毫米之间;下铜层(130)厚度C从0.1毫米到3毫米之间;中间的陶瓷(110)厚度B从0.1毫米到1毫米之间;其中上铜层(120)厚度(A)和下铜层(130)厚度(C)必须不同,且厚度差(A-C)在-3到﹢3毫米之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的