[实用新型]绝缘栅双极型晶体管模块有效

专利信息
申请号: 201720081079.4 申请日: 2017-01-22
公开(公告)号: CN206574711U 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 姚礼军 申请(专利权)人: 上海道之科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/373;H01L23/50;H01L23/31
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司33101 代理人: 翁霁明
地址: 201800 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 绝缘 栅双极型 晶体管 模块
【权利要求书】:

1.绝缘栅双极型晶体管模块,包括绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)、绝缘基板(1)、功率端子(3)、功率圆柱(2)、铝线(8)、塑料外壳(4)、硅凝胶(5)、热敏电阻(7),其特征在于所述的绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)和功率圆柱(2)通过回流焊焊接在绝缘基板(1)导电铜层上;绝缘栅双极型晶体管芯片(9)和二极管芯片(6)之间、绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)与绝缘基板(1)相应的导电层之间均通过铝线(8)键合来实现电气连接;塑料外壳(4)和绝缘基板(1)通过密封胶粘接;所述的绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)、绝缘基板(1)、功率圆柱(2)、铝线(8)以及热敏电阻(7)均覆盖有能提高各原件之间的耐压绝缘硅凝胶(5);用于把整个模块固定安装在散热器上的固定卡片(10)被注塑于塑料外壳(4)内。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述的绝缘基板(1)由上铜层(120)、下铜层(130)以及中间夹着的一层陶瓷(110)经烧结而成,上铜层(120)和下铜层(130)采用纯铜或者铜合金材料,中间的陶瓷(110)采用氧化铝(AL2O3)、氮化铝(ALN)或氧化铍(BeO)绝缘性能和散热性能良好的陶瓷材料制成;

所述的功率圆柱(2)采用纯铜或者铜合金材料,表层裸铜或者电镀金、镍或锡可焊接金属材料层;

所述的功率端子(3)也采用纯铜或者铜合金材料,表层裸铜或者电镀金,镍,锡等可焊接金属材料层。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述功率圆柱(2)的内部孔形状是正方形、圆形或菱形;所述功率圆柱(2)的内部孔是通孔或是盲孔;所述的功率端子(3)外形形状是正方形、圆形或菱形;所述的功率端子(3)和功率圆柱(2)通过接插配合连接,或通过焊接配合连接,或通过铆接压紧配合连接,或通过粘导电胶连接。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述的塑料外壳(4)采用耐高温且绝缘性能良好的PBT,PPS,尼龙材料制成;所述的硅凝胶(5)是绝缘性涂料,且覆盖在绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、二极管芯片(6)、绝缘基板(1)、热敏电阻(7)、功率圆柱(2)、铝线(8)上面;

所述的铝线(8)采用纯铝或铝合金材料,通过超声波方式被键合连接于绝缘栅双极型晶体管芯片(9)、绝缘基板(1)和二极管芯片(6)。

5.根据权利要求1或2或4所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述的缘栅双极型晶体管芯片(9)与绝缘基板(1)之间、绝缘基板(1)与二极管芯片(6)之间、绝缘基板(1)与功率圆柱(2)之间、绝缘基板(1)与热敏电阻(7)之间均通过焊接方式连接,所述的焊接采用含Sn的Snpb、SnAg、SnAgCu或PbSnAg焊接材料,焊接最高温度控制在100—400℃之间。

6.根据权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述绝缘基板(1)为弧形弯曲预变形基板,其中的弯曲度按要求确定,且对于长度为55mm的弧形绝缘基板(1),其弯曲程度控制在弧顶高出边端负0.10mm和0.15mm之间。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管模块,其特征在于所述绝缘基板(1)的上铜层(120)厚度A从0.1毫米到3毫米之间;下铜层(130)厚度C从0.1毫米到3毫米之间;中间的陶瓷(110)厚度B从0.1毫米到1毫米之间;其中上铜层(120)厚度(A)和下铜层(130)厚度(C)必须不同,且厚度差(A-C)在-3到﹢3毫米之间。

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