[实用新型]绝缘栅双极型晶体管模块有效
申请号: | 201720081079.4 | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN206574711U | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 姚礼军 | 申请(专利权)人: | 上海道之科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/373;H01L23/50;H01L23/31 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司33101 | 代理人: | 翁霁明 |
地址: | 201800 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 栅双极型 晶体管 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及的是一种新型绝缘栅双极型晶体管模块,属于电力电子学的功率模块封装技术领域。
背景技术
目前绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在变频器,逆变焊机,感应加热,轨道交通以及风能,太阳能发电等领域的应用越来越广泛,对绝缘栅双极型晶体管模块可靠性要求越来越高,要求器件体积和质量做的越来越小,价格越来越低。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足,而提供一种结构简单,使用方便,制造低成本,高可靠性的绝缘栅双极型晶体管模块。
本实用新型的目的是通过如下技术方案来完成的,一种绝缘栅双极型晶体管模块,包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线、塑料外壳、硅凝胶、热敏电阻,所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片和功率圆柱通过回流焊焊接在绝缘基板导电铜层上;绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间、绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与绝缘基板相应的导电层之间均通过铝线键合来实现电气连接;塑料外壳和绝缘基板通过密封胶粘接;所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率圆柱、铝线以及热敏电阻均覆盖有能提高各原件之间的耐压绝缘硅凝胶;用于把整个模块固定安装在散热器上的固定卡片被注塑于塑料外壳内。
作为优选:所述的绝缘基板由上铜层和下铜层并在中间夹着的一层陶瓷经烧结而成,上铜层和下铜层采用纯铜或者铜合金材料,中间的陶瓷采用氧化铝、氮化铝或氧化铍绝缘性能和散热性能良好的陶瓷材料制成;
所述的功率圆柱采用纯铜或者铜合金材料,表层裸铜或者电镀金、镍或锡可焊接金属材料层。
所述的功率端子也采用纯铜或者铜合金材料,表层裸铜或者电镀金,镍,锡等可焊接金属材料层。
作为优选:所述功率圆柱的内部孔形状是正方形、圆形或菱形;所述功率圆柱的内部孔是通孔或是盲孔;所述的功率端子外形形状是正方形、圆形或菱形;所述的功率端子和功率圆柱通过接插配合连接,或通过焊接配合连接,或通过铆接压紧配合连接,或通过粘导电胶连接。
作为优选:所述的塑料外壳采用耐高温且绝缘性能良好的PBT,PPS,尼龙材料制成;所述的硅凝胶是绝缘性涂料,且覆盖在绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、热敏电阻、功率圆柱、铝线上面;
所述的铝线采用纯铝或铝合金材料,通过超声波方式被键合连接于绝缘栅双极型晶体管芯片、绝缘基板和二极管芯片。
作为优选:所述的缘栅双极型晶体管芯片与绝缘基板之间、绝缘基板与二极管芯片之间、绝缘基板与功率圆柱之间、绝缘基板与热敏电阻之间均通过焊接方式连接,所述的焊接采用含Sn的Snpb、SnAg、SnAgCu或PbSnAg焊接材料,焊接最高温度控制在100—400℃之间;
作为优选:所述绝缘基板为弧形弯曲预变形基板,其中的弯曲度按要求确定,且对于长度为55mm的弧形绝缘基板,其弯曲程度控制在弧顶高出边端负0.10mm和0.15mm之间。
作为优选:所述绝缘基板的上铜层厚度A从0.1毫米到3毫米之间;下铜层厚度C从0.1毫米到3毫米之间;中间层厚度B从0.1毫米到1毫米之间;其中上铜层厚度A和下铜层厚度必须不同,且厚度差在-3到﹢3毫米之间。
本实用新型通过功率端子和功率圆柱接插配合和绝缘基板(DBC)直接压接散热器的方法,制造低成本,高可靠的新型无底板绝缘栅双极型晶体管模块;本实用新型通过对注塑外壳采用特殊结构设计,提高外壳绝缘耐压;所述的绝缘基板(DBC)、功率圆柱、铝线、热敏电阻等部件,通过覆盖绝缘硅凝胶,提高各原件之间的耐压;固定卡片被注塑于塑料外壳内,可以非常可靠地用螺丝把整个模块安装在固定在散热器上。
本实用新型的优点是:采用无底板工艺,生产绝缘栅双极型晶体管模块,降低绝缘栅双极型晶体管模块成本和热阻;同时采用功率端子和功率圆柱接插配合,减少功率圆柱焊接部分受到的应力,提高绝缘栅双极型晶体管模块可靠性。
附图说明
图1为本实用新型所述绝缘栅双极型晶体管模块示意图。
图2是图1中的A-A剖视图。
图3为本实用新型所述绝缘栅双极型晶体管模块剖切面示意图。
图4为本实用新型所述一种绝缘栅双极型晶体管模块芯片布局示意图。
图5为本实用新型所述另一种绝缘栅双极型晶体管模块芯片布局示意图。
图6为新型绝缘栅双极型晶体管模块电路结构示意图。
图7为新型绝缘栅双极型晶体管模块的外壳示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的