[实用新型]一种反向开关晶体管触发电路有效
| 申请号： | 201720460226.9 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN207053478U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 彭亚斌;雷涛;卢社阶;陈小玲 | 申请（专利权）人： | 湖北科技学院 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 437100 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反向 开关 晶体管 触发 电路 | ||
1.一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述触发电路包括充电电路、放电主电路和RSD触发电路；所述充电电路与放电主电路并联，所述放电主电路与所述RSD触发电路并联，所述充电电路包括充电电源。
2.根据权利要求1所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述放电主电路包括第一放电电容C0、第一磁开关L、RSD开关、负载Z0；所述第一放电电容C0、第一磁开关L、RSD开关、负载Z0依次串联；所述充电电源的输出正极连接第一放电电容C0的正极，充电电源的输出负极连接第一放电电容C0的负极。
3.根据权利要求2所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述RSD触发电路包括第一深能级晶体管(Deeplevel dynistor，DLD)的开关K21、第二深能级晶体管的开关K22、第二磁开关L21、第三磁开关L22、第二放电电容CC和脉冲电源；所述第二磁开关L21和第三磁开关L22连接，第三磁开关L22和第一深能级晶体管的开关K21串联，第二磁开关L21和第二深能级晶体管的开关K22的连接公共点与第二放电电容CC的正极连接，第三磁开关L22和第一深能级晶体管的开关K21的连接公共点与第二放电电容CC的负极连接，第一深能级晶体管的开关K21和第二深能级晶体管的开关K22的导通电路—脉冲电源的输出正极连接第一深能级晶体管的开关K21的正极和第二磁开关L21的另一端，第一深能级晶体管的开关K21和第二深能级晶体管的开关K22的导通电路—脉冲电源的输出负极连接第二深能级晶体管的开关K22的负极和第三磁开关L22的另一端。
4.根据权利要求3所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述RSD触发电路的输出正极连接放电主电路的正极，RSD触发电路的输出负极连接放电主电路的负极；其中，所述连接放电主电路的正极和负极是指连接放电主电路中的RSD开关的正极和负极。
5.根据权利要求4所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述第二磁开关L21和第三磁开关L22包括导线和磁性材料，所述第二磁开关L21和第三磁开关L22均由所述导线在所述磁性材料的磁芯上缠绕若干圈组成。
6.根据权利要求5所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述磁性材料为铁氧体或环形微晶铁氧体薄膜。
7.根据权利要求4所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述脉冲电源的开关为半导体功率开关。
8.根据权利要求7所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述脉冲电源的开关为晶闸管或IGBT。
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