[实用新型]一种三氧化钨薄膜气敏传感器有效
| 申请号： | 201720513105.6 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN207232063U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 孙凤云 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 薄膜 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种三氧化钨薄膜气敏传感器，其特征在于：它包括传感器本体，该传感器本体包括三氧化二铝基片，该三氧化二铝基片上设置有金叉指电极；将三氧化钨粉体浆料旋涂于带有金叉指电极上形成三氧化钨薄膜。
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