[实用新型]一种引线框架有效
申请号: | 201720745187.7 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN207052570U | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 王玲;彭林源 | 申请(专利权)人: | 南京矽邦半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 吕朦 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 框架 | ||
技术领域
本实用新型涉及引线框架技术领域,尤其涉及一种引线框架。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。
图1为现有技术的引线框架单面结构示意图,引线框架1’上排列有多个单颗封装成品2’。在引线框架封装后道成品切割过程中,后道切割刀的使用寿命评估常常会影响到单颗封装产品的价格浮动,若切割刀的使用寿命较短,直接影响到产品的售价,也影响到产品在行业中的竞争力。
实用新型内容
实用新型目的:为了解决现有技术存在的问题,提高引线框架产品切割刀的使用寿命,本实用新型提供一种引线框架。
技术方案:一种引线框架,包括成品区域和非成品区域,所述非成品区域位于成品区域的外围,所述成品区域用于放置成品,成品区域与非成品区域之间有过渡区域,所述过渡区域为半蚀刻,过渡区域的宽度大于切割刀的厚度;所述非成品区域包括非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域,非成品区域的注塑区域位于非成品区域的非注塑区域与成品区域之间,非成品区域的非注塑区域的正面为半蚀刻,非成品区域的注塑区域的正面包括多个矩形全蚀刻区域;成品区域包括多个成品,成品用于放置并连接成品,相邻成品之间有连接筋,所述连接筋的位置为切割刀轨迹,所述连接筋的背面为半蚀刻。
优选的,所述非成品区域的注塑区域设有多个矩形全蚀刻区域,矩形全蚀刻区域包括大矩形全蚀刻区域和小矩形全蚀刻区域,部分大矩形全蚀刻区域沿连接筋的延长线分布,部分大矩形全蚀刻区域围绕在成品区域外围;所述小矩形全蚀刻区域排列于过渡区域的一侧,过渡区域的另一侧排列有成品的引脚,小矩形全蚀刻区域与成品上相邻引脚的间隙对齐。
优选的,所述小矩形全蚀刻区域的长度为成品引脚的长度,小矩形全蚀刻区域的宽度为成品引脚的间距。
优选的,所述非成品区域的非注塑区域的半蚀刻厚度为引线框架厚度的1/3。
优选的,所述过渡区域的半蚀刻设计深度为框架厚度的1/2;所述连接筋的半蚀刻设计深度为框架厚度的1/2。
有益效果:本实用新型提供的一种引线框架,在非成品区域设计半蚀刻面积,由于非成品区域的切割刀轨迹的位置增加了半蚀刻,切割刀所需切割的位置做了减薄,减少了损耗,改善了产品切割工序的技术参数,降低切割刀损耗、减少了切割时间。由于减薄位置均匀对称,且减薄高度适中,不会大大降低基板本身强度。
本实用新型在成品之间的连接筋进行改善,由于在成品之间增加了辅助半蚀刻,切割刀轨迹处金属减薄,减少了损耗,进一步改善产品切割工序的技术参数,降低切割刀损耗、减小了切割时间。产品间的减薄设计尺寸经过计算和评估,不会减小产品间的连接强度。
在成品区域与非成品区域之间的过渡区域增加半蚀刻,切割刀轨迹处金属减薄,减少了损耗,进一步改善产品切割工序的技术参数,降低切割刀损耗、减小了切割时间,在非成品区域靠近过渡区域的一边增加全蚀刻设计,使得切割刀轨迹左右两侧相对平衡,进一步增加切割刀的使用寿命。
本实用新型设计合理,降低切割刀损耗、减小了切割时间,有效提高切割刀使用寿命和产品在行业间竞争优势,降低生产成本。
附图说明
图1为现有技术的引线框架单面结构示意图;
图2为通过本实用新型的一种引线框架改善封装的方法改进后的引线框架单面结构示意图;
图3为图2的局部放大示意图。
图中:1为引线框架;2为成品区域;3为非成品区域;21为成品;22为成品区域与非成品区域之间的过渡区域;31为非成品区域的注塑区域;32为非成品区域的非注塑区域;311为大矩形全蚀刻区域;312为小矩形全蚀刻区域;4为成品之间的连接筋;5为芯片pin脚。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
S1:确定待改善的引线框架1,在引线框架1上分出成品区域2和非成品区域3,所述非成品区域3位于成品区域2的外围,所述成品区域2用于放置成品;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造