[实用新型]铜锌锡硫太阳电池有效
申请号: | 201721580248.5 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN207572376U | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 唐雅琴;刘仪柯;刘芳洋;蒋良兴;黎应芬 | 申请(专利权)人: | 贵州理工学院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032 |
代理公司: | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人: | 陈铭浩 |
地址: | 550003 *** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜锌锡硫 本征氧化锌层 本实用新型 透明导电层 顶电极层 光吸收层 窗口层 复合层 缓冲层 金属线 石墨烯 电池 透明导电窗口层 光电转换效率 铜锌锡硫薄膜 掺铝氧化锌 铜锌锡硫硒 背电极层 传输过程 导电性能 电池功率 吸光性能 传统的 入射光 透光性 衬底 叠层 薄膜 输出 保证 | ||
本实用新型公开一种铜锌锡硫太阳电池,该铜锌锡硫太阳电池包括依次叠层设置的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极层,其中,所述光吸收层为铜锌锡硫薄膜或铜锌锡硫硒薄膜,所述窗口层包括设置在所述缓冲层一侧的本征氧化锌层以及设置在所述本征氧化锌层和所述顶电极层之间的透明导电层,所述透明导电层为金属线和石墨烯形成的复合层。本实用新型的技术方案中,采用金属线和石墨烯形成的复合层代替传统的掺铝氧化锌作为铜锌锡硫太阳电池的透明导电窗口层,由于其具有优良的透光性和导电性能,能够减少入射光传输过程中的损失,在保证电池功率输出的同时增加电池的吸光性能,从而增加电池的光电转换效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳电池技术领域,具体涉及一种铜锌锡硫太阳电池。
背景技术
铜锌锡硫(CZTS)太阳电池是目前最受关注的一种薄膜太阳电池,符合廉价、无毒、高转换效率的电池发展趋势,已获得了12.7%的电池转换效率,被公认为最有可能取代铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池成为主流薄膜太阳电池,具有良好的商业化应用前景。
目前CZTS太阳电池基本沿用CIGS太阳电池结构,通常将生长在n型CdS层上的ZnO称为窗口层,窗口层包括本征氧化锌(i-ZnO)和掺铝氧化锌 (Al-ZnO)两层,它既是太阳电池n型工作区,其与p型CZTS组成异质结成为内建电场的核心,又是电池的上表面层,与电池的顶电极一起成为电池功率输出的主要通道。虽然氧化锌窗口层制备的很薄,只有几十到几百个纳米,但是并不能完全避免窗口层薄膜在近红外波段的吸收损失。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种铜锌锡硫太阳电池,旨在解决现有窗口层薄膜在近红外波段的吸收损失的问题。
为实现上述目的,本实用新型提出的铜锌锡硫太阳电池包括依次叠层设置的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极层,其中,所述光吸收层为铜锌锡硫薄膜或铜锌锡硫硒薄膜,所述窗口层包括设置在所述缓冲层一侧的本征氧化锌层以及设置在所述本征氧化锌层和所述顶电极层之间的透明导电层,所述透明导电层为金属线和石墨烯形成的复合层。
优选地,所述金属线和石墨烯形成的复合层的厚度为50-1000nm。
优选地,所述本征氧化锌层的厚度为40-60nm。
优选地,所述顶电极层为呈网栅状分布的镍铝合金。
优选地,所述衬底为玻璃、不锈钢、铝、钛或镍中的一种。
优选地,所述背电极层为200-1500nm的钼层。
优选地,所述铜锌锡硫薄膜的厚度为1000-3000nm。
优选地,所述缓冲层为硫化镉薄膜。
本实用新型的技术方案中,采用金属线和石墨烯形成的复合层代替传统的掺铝氧化锌作为铜锌锡硫太阳电池的透明导电窗口层,由于其具有优良的透光性和导电性能,能够减少入射光传输过程中的损失,在保证电池功率输出的同时增加电池的吸光性能,从而增加电池的光电转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例的铜锌锡硫太阳电池的结构示意图。
附图标号说明:
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的