[实用新型]一种高效晶硅/非晶硅异质结电池结构

权利要求书

1.一种晶硅/非晶硅异质结电池结构，包括位于正面的正面金属电极（1）和位于背面的背面金属电极（10），其特征在于：所述正面金属电极（1）和背面金属电极（10）之间设置有N型晶体硅基底（6），所述正面金属电极（1）和N型晶体硅基底（6）之间从上至下依次设置有上正面铟锡氧化物透明导电薄膜（2）、下正面铟锡氧化物透明导电薄膜（3）、正面N型非晶硅薄膜（4）和正面本征非晶硅薄膜（5），所述N型晶体硅基底（6）和背面金属电极（10）之间从上至下依次设置有背面本征非晶硅薄膜（7）、背面P型非晶硅薄膜（8）以及背面铟锡氧化物透明导电薄膜（9），所述上正面铟锡氧化物透明导电薄膜（2）的厚度小于下正面铟锡氧化物透明导电薄膜（3）的厚度。

2.按照权利要求1所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构，其特征在于：所述正面金属电极（1）和背面金属电极（10）均为银电极，所述银电极包括主栅线以及与主栅线垂直分布的副栅线，所述主栅线的数量为4-18，主栅线的宽度为0.8-1.2mm，副栅线的数量为80-200，副栅线的宽度为30-80μm。

3.按照权利要求1或2所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构，其特征在于：所述上正面铟锡氧化物透明导电薄膜（2）的方阻为20-50Ω/□,下正面铟锡氧化物透明导电薄膜（3）的方阻为80-110Ω/□，所述上正面铟锡氧化物透明导电薄膜（2）的厚度为10-20 nm，所述下正面铟锡氧化物透明导电薄膜（3）的厚度为60-70 nm。

4.按照权利要求3所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构，其特征在于：所述背面铟锡氧化物透明导电薄膜（9）的方阻为45-65Ω/□，所述背面铟锡氧化物透明导电薄膜（9）的厚度为70-90nm。

5.按照权利要求4所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构，其特征在于：所述正面N型非晶硅薄膜（4）的厚度为5-30nm，所述背面P型非晶硅薄膜（8）的厚度为5-20nm。

6.按照权利要求5所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构，其特征在于：所述正面本征非晶硅薄膜（4）和背面本征非晶硅薄膜（5）的厚度均为5-20nm。

7.按照权利要求6所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构，其特征在于：所述N型晶体硅基底（6）的形状为准方的单晶硅片，其厚度为170-200μm。