[发明专利]镁二次电池用负极及其制造方法以及镁二次电池有效

专利信息
申请号: 201780025571.2 申请日: 2017-02-03
公开(公告)号: CN109075326B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 熊谷洁;中山有理;洼田忠彦 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01M4/1395 分类号: H01M4/1395;H01M4/134;H01M4/46;H01M4/66;H01M10/054;H01M12/08
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 玉昌峰;纪秀凤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 二次 电池 负极 及其 制造 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种镁二次电池用负极的制造方法,其特征在于,包括:

准备集电体,所述集电体的表面形成有包含电离倾向大于镁的金属的基底层;以及

以基底层为原材料,通过化学镀方法,在集电体上形成由镁层构成的负极活性物质层。

2.一种镁二次电池用负极的制造方法,其特征在于,具备下述各工序:

准备集电体,所述集电体的表面上形成有包含电离倾向大于镁的金属的第一基底层;以及

(A)以第一基底层为原材料,通过化学镀法,在集电体上形成第一镁层,接着,

(B)在第n镁层上形成包含电离倾向大于镁的金属的第(n+1)基底层之后,以第(n+1)基底层为原材料,通过化学镀法,在第n镁层上形成第(n+1)镁层,从n为1至n为(N-1)重复该工序,由此,在集电体上形成层叠有镁层而成的负极活性物质层,其中,n=1、2、……、N-1,N为2以上的整数。

3.根据权利要求2所述的镁二次电池用负极的制造方法,其中,

基于电镀法形成第(n+1)基底层。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的镁二次电池用负极的制造方法,其中,金属为锂。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的镁二次电池用负极的制造方法,其中,负极活性物质层的BET比表面积的值为每1克负极活性物质层1m2以上。

6.一种镁二次电池用负极,其特征在于,是通过权利要求1或权利要求2所述的镁二次电池用负极的制造方法制造而得的,所述镁二次电池用负极具备:

集电体以及形成于集电体的表面且由镁构成的负极活性物质层,

负极活性物质层的BET比表面积的值为每1克负极活性物质层1m2以上。

7.一种镁二次电池,其特征在于,具备二次电池用负极,所述二次电池用负极是通过权利要求1或权利要求2所述的镁二次电池用负极的制造方法制造而得的,具备集电体以及形成于集电体的表面且由镁构成的负极活性物质层,负极活性物质层的BET比表面积的值为每1克负极活性物质层1m2以上。

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