[发明专利]具有厚壳包覆的稳定INP量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201780039361.9 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109642149A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | C·伊彭;Y·A·乔;王春明;阚世海;郭文卓;I·珍-拉·普兰特 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/56;C09K11/70;C09K11/88 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈文平;吕小羽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米结构 厚壳 制备 发光量子点 高温合成 纳米晶核 逐渐减小 包覆的 量子点 单层 蓝光 发光 外部 吸收 | ||
1.一种多层纳米结构，所述多层纳米结构包括核和至少两个壳，其中至少两个所述壳包含不同的壳材料，并且其中至少一个所述壳的厚度在0.7nm至3.5nm之间。
2.根据权利要求1所述的多层纳米结构，其中所述核包含InP。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的多层纳米结构，其中至少一个壳包含ZnS。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的多层纳米结构，其中至少一个壳包含ZnSe。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的多层纳米结构，其中至少一个所述壳的厚度在0.9nm至3.5nm之间。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的多层纳米结构，其中至少两个所述壳的厚度在0.7nm至3.5nm之间。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的多层纳米结构，其中至少一个所述壳包含ZnS，至少一个所述壳包含ZnSe，并且至少两个所述壳的厚度在0.7nm至3.5nm之间。
8.一种产生多层纳米结构的方法，所述方法包括：
(a)使纳米晶核与至少两种壳前体接触；和
(b)在约200℃至约310℃之间的温度下加热(a)；
以提供包括至少一个壳的纳米结构，其中至少一个壳包含2.5至10个单层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述纳米晶核为InP纳米晶。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其中至少一种壳前体为锌源。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述锌源选自油酸锌、己酸锌、辛酸锌、月桂酸锌、棕榈酸锌、硬脂酸锌、二硫代氨基甲酸锌以及它们的混合物。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中所述锌源为硬脂酸锌或油酸锌。
13.根据权利要求8-12中任一项所述的方法，其中至少一种壳前体为硒源。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述硒源选自三辛基硒化膦、三(正丁基)硒化膦、三(仲丁基)硒化膦、三(叔丁基)硒化膦、三甲基硒化膦、三苯基硒化膦、二苯基硒化膦、苯基硒化膦、三环己基硒化膦、环己基硒化膦、1-辛硒醇、1-十二烷硒醇、硒酚、单质硒、双(三甲基甲硅烷基)硒醚以及它们的混合物。
15.根据权利要求13或14所述的方法，其中所述硒源为三(正丁基)硒化膦或三辛基硒化膦。
16.根据权利要求13-15中任一项所述的方法，其中所述核对所述硒源的摩尔比在1:2至1:1000之间。
17.根据权利要求13-16中任一项所述的方法，其中所述核对所述硒源的摩尔比在1:10至1:1000之间。
18.根据权利要求8-17中任一项所述的方法，其中至少一种壳前体为硫源。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述硫源选自单质硫、辛硫醇、十二烷硫醇、十八烷硫醇、三丁基硫化膦、异硫氰酸环己酯、α-甲苯硫醇、三硫代碳酸乙二醇酯、烯丙基硫醇、双(三甲基甲硅烷基)硫醚、三辛基硫化膦以及它们的混合物。
20.根据权利要求18或19所述的方法，其中所述硫源为辛硫醇。
21.根据权利要求18-20中任一项所述的方法，其中所述核对所述硫源的摩尔比在1:2至1:1000之间。
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