[发明专利]层叠体、电子设备的制造方法、层叠体的制造方法

权利要求书

1.一种层叠体，依次具备支撑基材、密合层和基板，

所述基板在密合层侧的表面上具备交替层叠折射率不同的2种以上的电介质层而成的电介质多层膜，带电介质多层膜的基板配置在密合层上之前的所述基板的SORI为130μm以上，

具备所述电介质多层膜的所述基板以所述电介质多层膜可剥离地与所述密合层密合的方式配置在所述密合层上。

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜的最表面的电介质层为含有Si原子的膜。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜的最表面的电介质层为SiO₂。

4.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜为防反射膜。

5.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜的厚度为0.001～5μm。

6.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜以在所述基板表面上残留未配置所述电介质多层膜的周缘区域的方式配置在所述基板的表面上，

在所述周缘区域，存在宽度为0.1～20mm的范围的区域。

7.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述电介质多层膜以在所述基板表面上残留未配置所述电介质多层膜的周缘区域的方式配置在所述基板的表面上，

在所述周缘区域，存在宽度为0.01mm以下的范围的区域。

8.一种层叠体，依次具备支撑基材、密合层和基板，

所述基板可剥离地密合配置在所述密合层上，

在所述密合层上配置之前的所述基板的SORI为130μm以上。

9.根据权利要求8所述的层叠体，其中，与所述密合层相接的一侧的所述基板的表面由含有Si原子的膜被覆。

10.根据权利要求9所述的层叠体，其中，所述含有Si原子的膜为氧化硅的蒸镀膜、氧化硅的溅射膜或有机硅树脂膜。

11.根据权利要求1或8所述的层叠体，其中，所述密合层为含有有机硅树脂的层。

12.根据权利要求1或8所述的层叠体，其中，所述基板的主面的面积为300cm²以上。

13.根据权利要求1或8所述的层叠体，其中，层叠体的SORI为20～120μm。

14.根据权利要求1或8所述的层叠体，其中，所述基板为玻璃基板。

15.一种电子设备的制造方法，具备如下工序：

构件形成工序，在权利要求1所述的层叠体的所述基板的与所述密合层相反一侧的表面上形成电子设备用构件，得到带电子设备用构件的层叠体；和

分离工序，从所述带电子设备用构件的层叠体除去所述支撑基材和所述密合层，得到具有所述带电介质多层膜的基板和所述电子设备用构件的电子设备。

16.一种电子设备的制造方法，具备如下工序：

构件形成工序，在权利要求8所述的层叠体的所述基板的与所述密合层相反一侧的表面上形成电子设备用构件，得到带电子设备用构件的层叠体；和

分离工序，从所述带电子设备用构件的层叠体除去所述支撑基材和所述密合层，得到具有所述基板和所述电子设备用构件的电子设备。

17.根据权利要求15或16所述的电子设备的制造方法，其中，所述基板为玻璃基板。