[发明专利]化合物半导体及其制造方法以及氮化物半导体

权利要求书

1.一种化合物半导体，所述化合物半导体是薄膜，其是含有氮和从由作为13族元素的B、Al、Ga或In所构成的群组中所选择的一种元素的二元系、三元系或四元系化合物半导体，

所述化合物半导体：

含有Si或者含有Ge作为施主，

含有1×10¹⁷cm^-3以上的氧作为杂质，

在上述含有Si作为施主的情况下，具有8.09×10¹⁹cm^-3以上的电子浓度，为N型导电性，

在上述含有Ge作为施主的情况下，具有3.04×10²⁰cm^-3以上的电子浓度，为N型导电性，且

在室温下测得的电子迁移率为46cm²/V·s以上。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体，其以Ga与N作为主成分。

3.根据权利要求2所述的化合物半导体，其对405nm的波长区域的光的吸光系数为2000cm^-1以下。

4.根据权利要求2所述的化合物半导体，其对450nm的波长区域的光的吸光系数为1000cm^-1以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体，利用AFM进行表面粗糙度测定所获得的RMS值为5.0nm以下。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体，其对N型欧姆电极金属的接触电阻为1×10^-4Ω·cm^-2以下。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体，其含有Ga且进而含有Al及/或In作为所述13族元素。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体，其含有Si作为施主。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体，其含有Ge作为施主。

10.一种接触结构，其是将使用根据权利要求1至9中任一项所述的化合物半导体的导电部与电极连接而成的。

11.一种半导体元件，其具备根据权利要求10所述的接触结构。

12.一种透明电极，其使用根据权利要求1至9中任一项所述的化合物半导体。

13.一种化合物半导体的制造方法，其使用脉冲溅镀法，在包含氧的工艺氛围下将权利要求1至9中任一项所述的化合物半导体进行成膜。

14.根据权利要求13所述的化合物半导体的制造方法，其是在成膜时的衬底温度为700℃以下进行的。