[发明专利]闪烁器阵列、制造闪烁器阵列的方法、放射线检测器及放射线检查装置

权利要求书

1.一种闪烁器阵列，其具备：

第1闪烁器元件；

第2闪烁器元件；和

反射体，该反射体设置于所述第1及第2闪烁器元件之间，所述第1及第2闪烁器元件之间的宽度为80μm以下，

所述第1及第2闪烁器元件分别具备含有稀土类氧硫化物荧光体的多晶体，所述多晶体具有面积为1mm以下×1mm以下的放射线入射面，

所述多晶体的晶粒的平均晶体粒径为5μm～30μm，所述平均晶体粒径由在通过使用扫描型电子显微镜观察所述多晶体而得到的观察图像上测定的晶粒的平均切片长来定义，

存在于所述多晶体的表面中的缺陷的最大长度或最大直径为40μm以下。

2.根据权利要求1所述的闪烁器阵列，其中，

所述多晶体为长方体状，

所述放射线入射面的面积为0.5mm以下×0.5mm以下，

所述反射体的所述宽度为50μm以下，

存在于所述多晶体的包含顶点的至少一个在内的全部边中的所述缺陷的最大长度为40μm以下，

所述闪烁器阵列的短边方向的长度为20mm以上，

所述闪烁器阵列的长边方向的长度为30mm以上，

所述闪烁器阵列的厚度为0.5mm以上。

3.根据权利要求1所述的闪烁器阵列，其中，通过使用超声波探伤在包含频率为200MHz、焦点距离为2.9mm、扫描间距为2.5μm、扫描面尺寸为1mm×1mm、样品厚度为1mm及检测下限缺陷长度为3μm的测定条件下检查所述多晶体的内部而测定的、所述扫描面中存在的缺陷的合计面积相对于所述扫描面的面积的比例为10％以下。

4.根据权利要求1所述的闪烁器阵列，其中，所述缺陷包含选自由空孔、伤痕、包含与所述稀土类氧硫化物荧光体不同的成分的异物、与所述稀土类氧硫化物荧光体相同的成分且晶体结构不同的异相以及包含与所述稀土类氧硫化物荧光体不同的成分的异相构成的组中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的闪烁器阵列，其中，

所述稀土类氧硫化物荧光体通过下述通式来表示：

通式：A₂O₂S：Pr

式中，A为选自由Y、Gd、La及Lu构成的组中的至少1种元素，

或通式：(Gd_1-xA’_x)₂O₂S：Pr

式中，A’为选自由Y、La及Lu构成的组中的至少1种元素，x为满足0≤x≤0.1的数。

6.根据权利要求5所述的闪烁器阵列，其中，所述稀土类氧硫化物荧光体包含选自由铈、锆及磷构成的组中的至少一种元素。

7.一种制造闪烁器阵列的方法，其包括以下工序：

将含有稀土类氧硫化物荧光体的原料成型而形成成型体的工序；

将所述成型体进行烧结而形成烧结体的工序；

将所述烧结体切断而形成第1闪烁器元件和第2闪烁器元件的工序；和

在所述第1及第2闪烁器元件之间夹持宽度为80μm以下的反射体并使所述第1及第2闪烁器元件集成的工序，

所述第1及第2闪烁器元件分别具备含有稀土类氧硫化物荧光体的多晶体，所述多晶体具有面积1mm以下×1mm以下的放射线入射面，

所述多晶体的晶粒的平均晶体粒径为5μm～30μm，所述平均晶体粒径由在通过使用扫描型电子显微镜观察所述多晶体而得到的观察图像上测定的晶粒的平均切片长来定义，

存在于所述多晶体的表面中的缺陷的最大长度或最大直径为40μm以下。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述烧结体通过使用热等静压法在1300℃～1500℃的温度、0.1小时～10小时的时间及98MPa以上的压力下将所述成型体进行烧结来形成。