[发明专利]用于提高脑性能或用于治疗应激的纳米粒子

权利要求书

1.一种纳米粒子或纳米粒子聚集体，其在所述纳米粒子或纳米粒子聚集体暴露于电场时用于在对象中提高脑性能或用于预防或治疗病理性应激，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料选自导体材料、半导体材料、介电常数ε_ijk等于或高于200的绝缘体材料、和介电常数ε_ijk等于或低于100的绝缘体材料。

2.根据权利要求1所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述电场通过经颅电刺激或经颅磁刺激来施加。

3.根据权利要求1或2所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料是导体材料，所述导体材料选自标准还原电位E°高于0.2的金属和在其结构中具有邻接的sp2杂化碳中心的有机材料。

4.根据权利要求3所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料选自金属纳米粒子，其中所述金属元素是Ir、Pd、Pt、Au或其混合物，以及由聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔、聚噻吩、聚咔唑和/或聚芘组成的有机纳米粒子。

5.根据权利要求1或2所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料是带隙Eg低于3.0eV的半导体材料。

6.根据权利要求5所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料由门捷列夫周期表的IVA族元素组成，或者是门捷列夫周期表的III和V族元素的混合组合物，或者是门捷列夫周期表的II和VI族元素的混合组合物。

7.根据权利要求6所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料由门捷列夫周期表的IVA族元素组成并掺杂有选自Al、B、Ga、In和P的电荷载体。

8.根据权利要求1或2所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述材料是带隙Eg等于或高于3.0eV的绝缘体材料并且所述相对介电常数ε_ijk在20℃和30℃之间以及在10²Hz直至红外频率之间测量。

9.根据权利要求8所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述材料是带隙Eg等于或高于3.0eV的绝缘体材料并且所述相对介电常数ε_ijk等于或高于200，并且所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料是介电材料，所述介电材料是选自BaTiO₃、KTaNbO₃、KTaO₃、SrTiO₃和BaSrTiO₃的混合金属氧化物。

10.根据权利要求8所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述材料是带隙Eg等于或高于3.0eV的绝缘体材料并且所述相对介电常数ε_ijk等于或低于100，并且所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料是介电材料，所述介电材料选自金属氧化物；混合金属氧化物，其金属元素来自门捷列夫周期表的第3、5或6周期或者是镧系元素；和碳材料。

11.根据权利要求1至10任一项所述的供使用的纳米粒子或纳米粒子聚集体，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体用于提高对象的身体性能，或用于提高学习、记忆、感知、注意力和/或做决定。

12.一种在暴露于电场的对象中用于提高脑性能或用于预防或治疗病理性应激的组合物，其中所述组合物包含纳米粒子和/或纳米粒子聚集体和可药用的载体，并且其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料选自导体材料、半导体材料、介电常数ε_ijk等于或高于200的绝缘体材料、和介电常数ε_ijk等于或低于100的绝缘体材料。