[发明专利]二极管线性化电路

权利要求书

1.一种二极管线性化电路，其具备RF信号路径以及线性化电路芯部，

该RF信号路径的一端与RF信号输入端子连接，另一端与RF信号输出端子连接，

该线性化电路芯部包含：

二极管，其具有阳极以及与接地用端子连接的阴极；

电阻，其一端与偏置端子连接，另一端与所述阳极连接；以及

电容器，其一端与所述RF信号路径连接，另一端与所述阳极连接。

2.根据权利要求1所述的二极管线性化电路，其特征在于，

具有多个包含所述偏置端子、所述电阻、所述二极管以及所述电容器的所述线性化电路芯部。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的二极管线性化电路，其特征在于，

所述二极管是GaAs类或者GaN类的肖特基结二极管。

4.根据权利要求1或2中任一项所述的二极管线性化电路，其特征在于，

所述二极管是GaAs类或者GaN类的pn结二极管。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的二极管线性化电路，其特征在于，

取代所述二极管，使用进行了二极管连接的双极晶体管或者进行了二极管连接的增强模式的FET。

6.一种二极管线性化电路，其具备半导体芯片以及线性化电路芯部，

该线性化电路芯部包含：

RF信号路径，其一端与在所述半导体芯片之上形成的第1放大级的RF输出端子连接，另一端与在所述半导体芯片之上形成的第2放大级的RF输入端子连接；

二极管，其形成于所述半导体芯片之上，具有阳极以及与接地用端子连接的阴极；

电阻，其形成于所述半导体芯片之上，一端与偏置端子连接，另一端与所述阳极连接；以及

电容器，其形成于所述半导体芯片之上，一端与所述RF信号路径连接，另一端与所述阳极连接。

7.根据权利要求6所述的二极管线性化电路，其特征在于，

具有多个包含所述偏置端子、所述电阻、所述二极管、所述电容器的所述线性化电路芯部。

8.根据权利要求6或7中任一项所述的二极管线性化电路，其特征在于，

所述半导体芯片是GaN类芯片。