[发明专利]半导体多层结构

权利要求书

1.半导体器件(1,10,20,30,40,50,60)，其包括：

基材(5,7,17)，其包括由Ge制成的层(2,24)；以及

半导体多层结构(3,4,9,11,19,23)，其包括至少一个第一层和至少一个第二层：

至少一个第一层由选自下组的材料构成：

Al_xGa_1-xAs，其中x为约0.6，

Al_xGa_1-x-yIn_yAs，其中0≤x≤0.6且0≤y≤0.02，

Al_xGa_1-x-yIn_yAs_1-zP_z、Al_xGa_1-x-yIn_yAs_1-zN_z、和Al_xGa_1-x-yIn_yAs_1-z-cN_zP_c，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.3、且0≤c≤1，

Al_xGa_1-x-yIn_yAs_1-z-cN_zSb_c，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.3、且0≤c≤0.7，以及

Al_xGa_1-x-yIn_yAs_1-z-cP_zSb_c，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1和0≤c≤0.3，其中，对于任意材料，所有III族元素含量之和等于1，所有V族元素含量之和等于1；并且

至少一个第二层由选自下组的材料构成：GaInAsNSb、GaInAsN、AlGaInAsNSb、AlGaInAsN、GaAs、GaInAs、GaInAsSb、GaInNSb、GaInP、GaInPNSb、GaInPSb、GaInPN、AlInP、AlInPNSb、AlInPN、AlInPSb、AlGaInP、AlGaInPNSb、AlGaInPN、AlGaInPSb、GaInAsP、GaInAsPNSb、GaInAsPN、GaInAsPSb、GaAsP、GaAsPNSb、GaAsPN、GaAsPSb、AlGaInAs和AlGaAs，其中，对于任意材料，所有III族元素含量之和等于1，所有V族元素含量之和等于1，

其中，半导体多层结构(3,4,9,11)生长于基材(5,7,17)的Ge层(2,24)上。

2.如前述权利要求所述的半导体器件(1,10,20,30,40,50)，其特征在于，半导体多层结构是包括如下所述的层的光电子半导体多层结构(3,4,9,11,23)：

多个形成无源层的第一层；以及

多个形成有源层的第二层。