[发明专利]不可校正ECC在审
申请号: | 201780098243.5 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN111656329A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | H·桑吉迪;J·黄;K·坦派罗;约翰·张;罗贤钢;何德平;罗婷 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不可 校正 ecc | ||
1.一种NAND存储器装置,包括:
NAND存储器单元的阵列;
控制器,其经配置以执行包括以下项的操作:
从NAND存储器单元的所述阵列读取值;
对所述值执行错误校正码ECC检查;
确定所述ECC检查失败;
将所述阵列中的其余过量配置块的数目的值与所确定阈值相比较;及
基于所述比较,如果所述其余过量配置块的数目大于所述所确定阈值,则执行第一错误处理模式,及如果所述其余过量配置块的数目小于或等于所述所确定阈值,则执行第二错误处理模式。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中执行所述第一错误处理模式的操作包括:
将所述NAND存储器单元中存储所述值的第一块标记为不良的;
用所述阵列中的第二块替代所述第一块,所述第二块是作为表示为过量配置的块池的一部分的块;及
递减所述其余过量配置块的数目的所述值。
3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中在给定所述NAND存储器装置的存储容量的情况下,在制造期间将所述所确定阈值设定成所需过量配置块的数目。
4.根据权利要求2所述的存储器装置,其中所述第一块用所述NAND的超级块中的所述第二块替代。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中执行所述第二错误处理模式的操作包括:
为所述NAND存储器单元中存储所述值的块递增故障计数器;
确定所述块的所述故障计数器超过阈值;及
响应于确定所述故障计数器超过所述阈值,测试所述块;及
如果测试成功,则使所述块恢复服务。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中基于所述NAND装置的大小计算所述所确定阈值。
7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中对所述值执行所述错误校正码ECC检查的操作包括:
将对所述值的数学运算的输出与所存储值相比较,并且其中确定所述ECC检查失败的操作包括确定对所述值的所述数学运算的所述输出与所述所存储值不匹配。
8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述NAND存储器装置是三维NAND存储器装置。
9.一种机器可读媒体,所述机器可读媒体包括在由机器执行时使所述机器执行包括以下项的操作的指令:
从NAND存储器单元的阵列读取值;
对所述值执行错误校正码ECC检查;
确定所述ECC检查失败;
将所述阵列中的其余过量配置块的数目的值与所确定阈值相比较;及
基于所述比较,如果所述其余过量配置块的数目大于所述所确定阈值,则执行第一错误处理模式,及如果所述其余过量配置块的数目小于或等于所述所确定阈值,则执行第二错误处理模式。
10.根据权利要求9所述的机器可读媒体,其中执行所述第一错误处理模式的操作包括:
将所述NAND存储器单元中存储所述值的第一块标记为不良的;
用所述阵列中的第二块替代所述第一块,所述第二块是作为表示为过量配置的块池的一部分的块;及
递减所述其余过量配置块的数目的所述值。
11.根据权利要求10所述的机器可读媒体,其中在给定所述NAND存储器装置的存储容量的情况下,在制造期间将所述所确定阈值设定成所需过量配置块的数目。
12.根据权利要求10所述的机器可读媒体,其中所述第一块用所述NAND的超级块中的所述第二块替代。
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