[发明专利]一种平面光波导晶圆生产工艺方法

权利要求书

1.一种平面光波导晶圆生产工艺方法，其特征在于：依次包括如下步骤：

步骤①：在基板的表面上沉积掩膜层；

步骤②：步骤①结束后，在掩膜层的表面涂覆光刻胶，使光刻胶形成层状结构；

步骤③：步骤②结束后，对光刻胶进行光刻，使光刻胶形成目标图形；

步骤④：步骤③结束后，对掩膜层失去光刻胶保护的部分进行刻蚀，使掩膜层被刻蚀的位置形成槽道；

步骤⑤：步骤④结束后，完全去除光刻胶；

步骤⑥：步骤⑤结束后，对基板与槽道接触的位置进行刻蚀，使得槽道深入至基板中；

步骤⑦：步骤⑥结束后，去除剩余的掩膜层；

步骤⑧：步骤⑦结束后，对基板的表面沉积芯层，使得芯层填入槽道内；

步骤⑨：步骤⑧结束后，对芯层的表面进行研磨；

步骤⑩：步骤⑨结束后，对芯层的表面沉积上包层。

2.根据权利要求1所述的平面光波导晶圆生产工艺方法，其特征在于：步骤①中，用磁控溅射设备淀积铬形成掩膜层，或者，用低压化学气相沉积方法沉积多晶硅形成掩膜层。

3.根据权利要求1或2所述的平面光波导晶圆生产工艺方法，其特征在于：步骤②中，光刻胶为紫外光刻胶，通过用光分路器图形的掩模板进行曝光和显影，使光刻胶形成目标图形。

4.根据权利要求1或2所述的平面光波导晶圆生产工艺方法，其特征在于：步骤④中，用反应离子刻蚀设备或感应耦合等离子体设备，将掩膜层失去光刻胶保护的部分刻蚀除去，形成光波导的槽道。

5.根据权利要求1或2所述的平面光波导晶圆生产工艺方法，其特征在于：基板的材质为石英玻璃，步骤⑧中，用离子体增强化学汽相淀积方法在基板上生长掺杂SiO₂膜作为芯层填入槽道里，同时，槽道的外侧的基板的上表面会沉积有芯层。

6.根据权利要求5所述的平面光波导晶圆生产工艺方法，其特征在于：步骤⑨中，通过精磨设备，对芯层的表面进行研磨，使得芯层的高度为基板中槽道的高度，去除槽道的外侧的基板的上表面的芯层。

7.根据权利要求1或2所述的平面光波导晶圆生产工艺方法，其特征在于：上包层材质为SiO₂，步骤⑩中，上包层采用火焰水解淀积设备或离子体增强化学汽相淀积设备进行生长。