[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201810052156.2 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108631765B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 山岸俊之;堀口智哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/21;H04L7/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
第1耦合器部;
编码电路,基于经由上述第1耦合器部输入的时钟,将数字数据进行差分曼彻斯特编码而输出编码数据;
第2耦合器部;以及
解调电路,对经由上述第2耦合器部输入的上述编码数据进行解调,
上述解调电路包含:
第1采样电路,基于被设定为上述编码数据的频率的2倍的采样频率将上述编码数据采样而输出第1样本数据;
第2采样电路,基于上述采样频率,将比上述第1采样电路在时间上靠前的定时的上述编码数据采样而输出第2样本数据;
判定电路,判定上述第1样本数据与上述第2样本数据是否一致;以及
选择电路,具有多个存储电路和至少一个比较电路,上述选择电路根据上述判定电路的判定数据,基于上述多个存储电路中的一个存储电路,从上述第1样本数据之中选择第偶数个被采样的第1相位数据、以及第奇数个被采样的第2相位数据中的某一方。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述解调电路包含延迟电路,该延迟电路设于上述第2采样电路的前级,被设定为比作为上述采样频率的倒数的采样周期短的延迟时间。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述第1采样电路基于被设定为上述采样频率的第1采样时钟,将上述编码数据采样,
上述第2采样电路基于反转了上述第1采样时钟而得到的第2采样时钟,将上述编码数据采样。
4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述选择电路,作为上述多个存储电路而包含:
第1存储电路,按照被采样的顺序来存储多个上述第1样本数据;
第2存储电路,暂时地存储与上述第1样本数据对应的上述判定数据;以及
第3存储电路,暂时地存储表示上述选择电路选择上述第1相位数据与上述第2相位数据中的哪一个的标志,
在上述判定数据表示上述第1样本数据与上述第2样本数据不一致的情况下,切换上述标志。
5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
上述选择电路包含连接于上述第1存储电路的上述比较电路,
在切换了上述标志时,上述比较电路比较在与上述第2样本数据不一致的上述第1样本数据即错误数据之前被存储于上述第1存储电路的多个上述第1样本数据之中被采样的顺序不同的样本数据彼此,并基于比较结果来选择上述第1相位数据与上述第2相位数据中的某一个。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
上述第1存储电路存储第1存储数据至第5存储数据,该第1存储数据至第5存储数据是在上述错误数据之前被采样的至少5个不同的上述第1样本数据,
上述比较电路在上述第1存储数据与上述第2存储数据不一致的情况下、或者上述第1存储数据至上述第3存储数据一致而上述第3存储数据与上述第4存储数据不一致的情况下,选择在上述错误数据的紧前被采样而存储于上述第1存储电路的上述第1存储数据。
7.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
上述第1存储电路存储第1存储数据至第5存储数据,该第1存储数据至第5存储数据是在上述错误数据之前被采样的至少5个不同的上述第1样本数据,
上述比较电路在上述第1存储数据与上述第2存储数据一致而上述第2存储数据与上述第3存储数据不一致的情况下、或者上述第1存储数据至上述第4存储数据一致而上述第4存储数据与上述第5存储数据不一致的情况下,选择在上述错误数据的紧后被采样而存储于上述第1存储电路的第1样本数据。
8.如权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述判定电路包含分别连接于上述第1采样电路与上述第2采样电路的XOR电路。
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