[发明专利]可分离的衬底结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810055533.8 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108321309A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李加伟;郭瑞;胡坤 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00;H01L51/52 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底结构 可分离 疏水膜 支撑基 制备 柔性基底 空白区域 减小 空白区域位置 对位精准度 图形化过程 图案区域 图案化 图形化 翘曲 | ||
1.一种可分离的衬底结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供支撑基底；
在所述支撑基底上形成图案化的疏水膜，所述疏水膜具有图案区域和空白区域；以及
在所述疏水膜的空白区域形成柔性基底，得到可分离的衬底结构。
2.根据权利要求1所述的可分离的衬底结构的制备方法，其特征在于，在所述疏水膜的空白区域形成柔性基底的操作为：
在所述疏水膜上涂布用于形成所述柔性基底的前驱体溶液，所述前驱体溶液固化之后形成所述柔性基底。
3.根据权利要求1所述的可分离的衬底结构的制备方法，其特征在于，采用溅射工艺在所述支撑基底上形成图案化的疏水膜。
4.一种可分离的衬底结构，其特征在于，包括：
支撑基底；
疏水膜，设置在所述支撑基底上，所述疏水膜具有图案区域和空白区域；以及
柔性基底，设置在所述支撑基底上，且所述柔性基底位于所述疏水膜的空白区域内。
5.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述疏水膜的材质选自具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述疏水膜的厚度为50nm～800nm。
7.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述疏水膜的表面粗糙度为5nm～50nm。
8.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述疏水膜的水接触角为100°～170°。
9.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述柔性基底与所述支撑基底的面积比为1:2～4:5。
10.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述柔性基底的材质为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者聚醚砜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
