[发明专利]可分离的衬底结构及其制备方法在审
申请号: | 201810055533.8 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108321309A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 李加伟;郭瑞;胡坤 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00;H01L51/52 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底结构 可分离 疏水膜 支撑基 制备 柔性基底 空白区域 减小 空白区域位置 对位精准度 图形化过程 图案区域 图案化 图形化 翘曲 | ||
本发明涉及一种可分离的衬底结构及其制备方法。上述可分离的衬底结构的制备方法包括以下步骤:提供支撑基底;在支撑基底上形成图案化的疏水膜,疏水膜具有图案区域和空白区域;以及在疏水膜的空白区域形成柔性基底,得到可分离的衬底结构。上述可分离的衬底结构的制备方法中,疏水膜将柔性基底限定在疏水膜的空白区域位置,减小了柔性基底与支撑基底的接触面积。从而减小了柔性基底对支撑基底的应力,能够避免支撑基底发生翘曲,提高后续图形化过程中的对位精准度以及图形化精度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种可分离的衬底结构及其制备方法。
背景技术
近年来,具有柔性基底的显示装置因其可弯曲的特性,在移动或者手持显示装置中具有广泛的应用前景。塑料基底(例如具有优异的耐热性和强度的聚酰亚胺基底、聚醚砜基底等)常被用作柔性基底。
当利用柔性基底制造显示装置时,为了确保柔性基底的表面平整性,可以使用刚性基板(诸如玻璃基板)作为支撑基底来形成柔性基底。然而,由于柔性基底的应力较大,支撑基底在柔性基底的应力作用下会发生翘曲,导致后续图形化过程中对位不精准。
发明内容
基于此,有必要针对如何避免支撑基底翘曲的问题,提供一种能够避免支撑基底翘曲的可分离的衬底结构及其制备方法。
一种可分离的衬底结构的制备方法,包括以下步骤:
提供支撑基底;
在所述支撑基底上形成图案化的疏水膜,所述疏水膜具有图案区域和空白区域;以及
在所述疏水膜的空白区域形成柔性基底,得到可分离的衬底结构。
上述可分离的衬底结构的制备方法中,疏水膜将柔性基底限定在疏水膜的空白区域位置,减小了柔性基底与支撑基底的接触面积。从而减小了柔性基底对支撑基底的应力,能够避免支撑基底发生翘曲,提高后续图形化过程中的对位精准度以及图形化精度。
在其中一个实施例中,在所述疏水膜的空白区域形成柔性基底的操作为:
在所述疏水膜上涂布用于形成所述柔性基底的前驱体溶液,所述前驱体溶液固化之后形成所述柔性基底。
在其中一个实施例中,采用溅射工艺在所述支撑基底上形成图案化的疏水膜。
此外,还提供一种可分离的衬底结构,包括:
支撑基底;
疏水膜,设置在所述支撑基底上,所述疏水膜具有图案区域和空白区域;以及
柔性基底,设置在所述支撑基底上,且所述柔性基底位于所述疏水膜的空白区域内。
本发明的可分离的衬底结构,疏水膜将柔性基底限定在疏水膜的空白区域位置,减小了柔性基底与支撑基底的接触面积。从而减小了柔性基底对支撑基底的应力,能够避免支撑基底发生翘曲,提高后续图形化过程中的对位精准度以及图形化精度。
在其中一个实施例中,所述疏水膜的材质选自具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述疏水膜的厚度为50nm~800nm。
在其中一个实施例中,所述疏水膜的表面粗糙度为5nm~50nm。
在其中一个实施例中,所述疏水膜的水接触角为100°~170°。
在其中一个实施例中,所述柔性基底与所述支撑基底的面积比为1:2~4:5。
在其中一个实施例中,所述柔性基底的材质为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者聚醚砜。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810055533.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:封装方法及显示装置
- 下一篇:有机发光二极管器件的制作系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择