[发明专利]一种基于CSP型式的LED封装方法

权利要求书

1.一种基于CSP型式的LED封装方法，其特征在于：包括以下步骤步骤(1)，芯片制造：取LSI芯片(10)，在LSI芯片上制作电极焊区和外电极的金属布线图形，制出Pb-Sn焊料润湿性良好的底层金属(11)；在底层金属(11)的凸点设置TiN-Ni-Au多层结构的下金属层(12)，在底层金属与下金属层之间制出聚酰亚胺缓冲层(13)，在下金属层的末端采用蒸发光刻方法形成Pb-Sn触点(14)；

步骤(2)，LED支架(20)制作：取绝缘框架，该绝缘框架具有一从底部向上突起的凸台(21)，所述绝缘框架上印刷电路，该绝缘框架的凸台上设有焊盘(22)，该绝缘框架的底面设有电极(23)；在绝缘框架上注入树脂层(24)，并且形成芯片容置腔(25)；

步骤(3)，芯片组装：将上述经过布线的LSI芯片(10)倒装置入芯片容置腔(25)，使Pb-Sn触点(14)与焊盘(22)一一对应，加热加压，Pb-Sn熔化后使芯片上的底层金属(11)与框架上的印刷电路连通；

步骤(4)，模塑封装：把步骤3组装后的产品放入至模塑模具(30)中，模塑模分为两部分，上模(31)和下模(32)，产品固定于下模(32)，并通过真空板临时膜(33)紧贴到上模(31)，当夹紧模塑模时，把模塑模加热到近165～175℃，注入密封剂，通过提供热和压力使密封剂熔化，密封剂分布于整个芯片产品表面，并通过向内拉紧模塑模而硬化，脱模得到有临时膜的密封晶片；

步骤(5)，切片：切割出LED封装颗粒，切割后的颗粒大小小于或等于LSI芯片(10)面积的120％。

2.根据权利要求1所述的一种基于CSP型式的LED封装方法，其特征在于：所述LSI芯片(10)的芯片厚度为0.3～0.5mm。

3.根据权利要求1所述的一种基于CSP型式的LED封装方法，其特征在于：所述底层金属(11)是由Pb-Sn与环氧树脂组成的具有弹性的导电胶。

4.根据权利要求1所述的一种基于CSP型式的LED封装方法，其特征在于：所述绝缘框架底部的电极(23)为间距设置的平片体，各电极(23)不超出绝缘框架的外部。

5.根据权利要求1或4所述的一种基于CSP型式的LED封装方法，其特征在于：每一LED封装颗粒均具有两个电极(23)，两个电极之间的间距为0.5～1.0mm。

6.根据权利要求1所述的一种基于CSP型式的LED封装方法，其特征在于：所述绝缘框架为柔性薄片。

7.根据权利要求1所述的一种基于CSP型式的LED封装方法，其特征在于：步骤(2)，所述绝缘框架上印刷电路的方法是采用3D打印机在绝缘框架表面打印电路图，在绝缘框架需要将导线引至另一面的地方钻孔，再于钻孔位置浇入铜金属，接通绝缘框架两面的导线。