[发明专利]一种基于CSP型式的LED封装方法

说明书

本发明公开一种基于CSP型式的LED封装方法，包括五个步骤：芯片制造→LED支架制作→芯片组装→模塑封装→切片，其先使LSI芯片和LED支架分别模块化，再进行组装，组装后的焊接过程只需要加压加热即可热熔接触连接在一起，无需焊头一个一个地焊接，此种成型方法简单快捷，生产效率高，并且成本低，进而通过模塑胶封装，使装配体外部包覆密封胶，提高密封性能，并且密封后在表面带临时膜，可对产品进行保护，防止产品在装配和运输过程划伤。

技术领域

本发明涉及LED领域技术，尤其是指一种基于CSP型式的LED封装方法。

背景技术

电子产品的飞速发展，微电子封装技术面临着电子产品“高性价比、高可靠性、多功能、小型化及低成本”发展趋势带来的挑战和机遇。QFP(四边引脚扁平封装)、TQFP(塑料四边引脚扁平封装)作为表面安装技术(SMT)的主流封装形式一直受到业界的青睐，但当它们在0.3mm引脚间距极限下进行封装、贴装、焊接更多的I/O引脚的VLSI时遇到了难以克服的困难，尤其是在批量生产的情况下，成品率将大幅下降。因此以面阵列、球形凸点为I/O的BGA(球栅阵列)应运而生，以它为基础继而又发展为芯片尺寸封装(Chip Scale Package，简称CSP)技术。采用新型的CSP技术可以确保VLSI在高性能、高可靠性的前提下实现芯片的最小尺寸封装(接近裸芯片的尺寸)，而相对成本却更低，因此符合电子产品小型化的发展潮流，是极具市场竞争力的高密度封装形式。

CSP技术的出现为以裸芯片安装为基础的先进封装技术的发展，如多芯片组件(MCM)、芯片直接安装(DCA)，注入了新的活力，拓宽了高性能、高密度封装的研发思路。在MCM技术面临裸芯片难以储运、测试、老化筛选等问题时，CSP技术使这种高密度封装设计柳暗花明。

CSP产品已有100多种，封装类型也多，目前全球有50多家IC厂商生产各种结构的CSP产品。然而CSP封装工艺仍然存在工艺复杂，成本高和效率低的难题。

发明内容

有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种基于CSP型式的LED封装方法，此封装方法简单可靠，效率高，成本低。

为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：

一种基于CSP型式的LED封装方法，包括以下步骤

步骤(1)，芯片制造：取LSI芯片，在LSI芯片上制作电极焊区和外电极的金属布线图形，制出Pb-Sn焊料润湿性良好的底层金属；在底层金属的凸点设置TiN-Ni-Au多层结构的下金属层，在底层金属与下金属层之间制出聚酰亚胺缓冲层，在下金属层的末端采用蒸发光刻方法形成Pb-Sn触点；

步骤(2)，LED支架制作：取绝缘框架，该绝缘框架具有一从底部向上突起的凸台，所述绝缘框架上印刷电路，该绝缘框架的凸台上设有焊盘，该绝缘框架的底面设有电极；在绝缘框架上注入树脂层，并且形成芯片容置腔；

步骤(3)，芯片组装：将上述经过布线的LSI芯片倒装置入芯片容置腔，使Pb-Sn触点与焊盘一一对应，加热加压，Pb-Sn熔化后使芯片上的底层金属与框架上的印刷电路连通；

步骤(4)，模塑封装：把步骤3组装后的产品放入至模塑模具中，模塑模分为两部分，上模和下模，产品固定于下模，并通过真空板临时膜(33)紧贴到上模，当夹紧模塑模时，把模塑模加热到近165～175℃，注入密封剂，通过提供热和压力使密封剂熔化，密封剂分布于整个芯片产品表面，并通过向内拉紧模塑模而硬化，脱模得到有临时膜的密封晶片；

步骤(5)，切片：切割出LED封装颗粒，切割后的颗粒大小小于或等于LSI芯片面积的120％。

作为一种优选方案，所述LSI芯片的芯片厚度为0.3～0.5mm。

作为一种优选方案，所述底层金属是由Pb-Sn与环氧树脂组成的具有弹性的导电胶。