[发明专利]一种提高溶液法氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法

权利要求书

1.一种提高溶液法制备的氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法，其特征在于：在旋涂制备薄膜晶体管的绝缘层时，将低浓度的金属氧化物绝缘层前驱体溶液进行多次旋涂，每一次旋涂完后进行退火处理，得到金属氧化物绝缘层薄膜，薄膜晶体管以该薄膜作为绝缘层；所述金属氧化物绝缘层前驱体溶液的浓度为0～0.3mol/L且不为0。

2.根据权利要求1所述提高溶液法制备的氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法，其特征在于：所述金属氧化物绝缘层前驱体溶液的浓度为0.01～0.3mol/L；金属氧化物绝缘层薄膜的厚度为120～140nm。

3.根据权利要求1所述提高溶液法制备的氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法，其特征在于：旋涂的次数≥4；前驱体溶液多次旋涂使得绝缘层薄膜达到所需的厚度；

每一次旋涂完后进行退火处理时，退火的温度为200℃～300℃，退火的时间为3～5min；

所述旋涂的转速为4000rpm～6000rpm，每一次旋涂的时间为30s～40s。

4.根据权利要求1所述提高溶液法制备的氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法，其特征在于：所述金属氧化物绝缘层前驱体为ZrO₂绝缘层前驱体、氧化铪绝缘层前驱体或氧化铝绝缘层前驱体；

所述金属氧化物绝缘层前驱体溶液是将金属氧化物绝缘层前驱体溶于有机溶剂中得到。

5.根据权利要求4所述提高溶液法制备的氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法，其特征在于：所述ZrO₂绝缘层前驱体为ZrOCl₂·8H₂O、硝酸锆或醋酸锆；

所述氧化铪绝缘层前驱体为八水合氧氯化铪；所述氧化铝绝缘层前驱体为硝酸铝或醋酸铝。

6.根据权利要求5所述提高溶液法制备的氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法，其特征在于：ZrO₂绝缘层前驱体为ZrOCl₂·8H₂O时，ZrO₂绝缘层前驱体溶液中有机溶剂为乙二醇单甲醚或乙二醇；ZrO₂绝缘层前驱体为硝酸锆时，有机溶剂为乙二醇单甲醚；ZrO₂绝缘层前驱体为醋酸锆时，有机溶剂为乙二醇；

氧化铪绝缘层前驱体为八水合氧氯化铪时，有机溶剂为乙二醇或乙二醇单甲醚；

氧化铝绝缘层前驱体为硝酸铝或醋酸铝时，有机溶剂为乙二醇单甲醚。

7.根据权利要求1所述提高溶液法制备的氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法，其特征在于：金属氧化物绝缘层薄膜需在300℃～400℃退火处理1～2h。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于：包括权利要求1～7任一项所述方法得到的金属氧化物绝缘层薄膜。

9.根据权利要求8所述薄膜晶体管，其特征在于：由下至上依次包括衬底、栅极、金属氧化物绝缘层薄膜、有源层、源/漏电极。

10.根据权利要求9所述薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)在衬底上，沉积金属氧化物薄膜作为栅极；

(2)将金属氧化物绝缘层前驱体溶于有机溶剂中，搅拌老化，得到低浓度的金属氧化物绝缘层前驱体溶液；在栅极上，将低浓度的金属氧化物绝缘层前驱体溶液进行多次旋涂，每一次旋涂完后进行退火处理，得到金属氧化物绝缘层薄膜；然后将金属氧化物绝缘层薄膜于300～400℃退火处理1～2h，得到绝缘层；

(3)在绝缘层上磁控溅射氧化物，在300～400℃下退火处理，得到有源层；

(4)在有源层上磁控溅射金属，得到源/漏电极。