[发明专利]PECVD反应腔以及用于PECVD反应腔的支撑针有效
申请号: | 201810085370.8 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108203817B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 赖彩玲;周贺;何小强;张锐;黄舜愿;彭新林 | 申请(专利权)人: | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/458 |
代理公司: | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王卫忠;袁礼君 |
地址: | 350300 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 针芯 反应腔 支撑针 针套 垫片 导电材质 接地 等离子体 半导体技术领域 非导电材质 电容差异 电容 包覆 串联 | ||
1.一种支撑针,用于反应腔中,其特征在于,包括:
针芯;
针套,包覆于所述针芯之外;以及
至少一层垫片,设置在所述针芯和所述针套的底部;
其中所述针芯与所述垫片对应所述针芯以及所述针套的部分为导电材质,所述针套为非导电材质。
2.根据权利要求1所述的支撑针,其特征在于,还包括:
针帽,位于所述针芯以及所述针套的顶部之上,所述针帽位于基座的一第一容置槽中,且所述基座上还开设有一与所述第一容置槽贯穿的第二容置槽,用于容纳所述针芯和所述针套,所述第一容置槽的面积大于所述第二容置槽的面积;
其中所述针帽为导电材质。
3.根据权利要求2所述的支撑针,其特征在于,还包括:
滚筒套,包覆于所述针套之外,所述滚筒套还位于所述第二容置槽中,且所述滚筒套的长度大于等于所述基座的厚度。
4.根据权利要求3所述的支撑针,其特征在于,位于所述第二容置槽中的部分所述滚筒套中还包括:多个滚筒,用于改变所述针帽的顶面相对于所述基座的上表面的高度。
5.根据权利要求2所述的支撑针,其特征在于,所述针芯、所述针帽和所述垫片对应所述针芯以及所述针套的部分的材质为金属。
6.根据权利要求3所述的支撑针,其特征在于,所述针芯、所述针帽和所述垫片对应所述针芯以及所述针套的部分的材质为铝。
7.根据权利要求1所述的支撑针,其特征在于,所述针套的材质为陶瓷。
8.根据权利要求1所述的支撑针,其特征在于,所述针芯接地。
9.一种等离子体增强化学的气相沉积PECVD反应腔,其特征在于,包括:
腔体;
基座,用于承载样品,并设置有第一容置槽;以及
至少两个权利要求1~8中任一项所述的支撑针,所述支撑针的底部通过至少一层垫片固定在所述腔体上,所述支撑针的顶部位于所述第一容置槽中。
10.根据权利要求9所述的气相沉积PECVD反应腔,其特征在于,所述支撑针接地。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的