[发明专利]PECVD反应腔以及用于PECVD反应腔的支撑针

说明书

本公开提供一种PECVD反应腔以及用于PECVD反应腔的支撑针，属于半导体技术领域。该用于PECVD反应腔的支撑针包括：针芯；针套，包覆于所述针芯之外；以及至少一层垫片，设置在所述针芯和所述针套的底部；其中所述针芯与所述垫片对应所述针芯以及所述针套的部分为导电材质，所述针套为非导电材质。该支撑针通过在针芯采用导电材质，并将针芯以及垫片接地，使得整根支撑针接地，可以减少Pin区串联的电容数量，提高Pin区等离子体密度，减少Pin区域非Pin区的电容差异。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种PECVD反应腔以及用于PECVD反应腔的支撑针。

背景技术

在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器英文)行业中，支撑针Lift Pin被广泛的应用于支撑玻璃基板。但是由于支撑针Pin的使用，容易造成Pin区与非Pin区的等离子体密度差异，进而导致在Pin区生成的薄膜与非Pin区生成的薄膜存在差异。

在PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积)工艺中，通过借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的反应气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，从而在基片上沉积出所期望的薄膜。在Pin区，Pin的针帽(即Cap)部分为铝Al或石墨材料，Pin的支撑部分为通体陶瓷，而下部电极接地，Pin的Cap不接地，这样造成Pin与下部电极形成电容，与非Pin区的电容存在差异，使得两个区域的等离子体密度存在差异。因此，Pin区生成的薄膜与正常的非Pin区生成的薄膜也存在差异，形成Mura，影响产品质量与良率，同时影响电学特性，从而影响显示效果。

因此，现有技术中的技术方案还存在有待改进之处。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种PECVD反应腔以及用于PECVD反应腔的支撑针，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的由于Pin区生成的薄膜与正常的非Pin区生成的薄膜也存在差异形成Mura的问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰，或者部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供一种支撑针，用于反应腔中，包括：

针芯；

针套，包覆于所述针芯之外；以及

至少一层垫片，设置在所述针芯和所述针套的底部；

其中所述针芯与所述垫片对应所述针芯以及所述针套的部分为导电材质，所述针套为非导电材质。

在本公开的一种示例性实施例中，还包括：

针帽，位于所述针芯以及所述针套的顶部之上，所述针帽位于基座的一第一容置槽中，且所述基座上还开设有一与所述第一容置槽贯穿的第二容置槽，用于容纳所述针芯和所述针套，所述第一容置槽的面积大于所述第二容置槽的面积；

其中所述针帽为导电材质。

在本公开的一种示例性实施例中，还包括：

滚筒套，包覆于所述针套之外，所述滚筒套还位于所述第二容置槽中，且所述滚筒套的长度大于等于所述基座的厚度。

在本公开的一种示例性实施例中，位于所述第二容置槽中的部分所述滚筒套中还包括：多个滚筒，用于改变所述针帽的顶面相对于所述基座的上表面的高度。