[发明专利]一种三相全桥电路及智能功率模块

权利要求书

1.一种三相全桥电路，包括：6个功率开关器件，其特征在于，所述6个功率开关器件采用至少一个氮化镓集成组芯片形成，所述三相全桥电路包括：实现三相全桥电路连接走线的PCB板和倒装在所述PCB板上并借助于所述连接走线形成三相全桥电路的所述至少一个氮化镓集成组芯片；

每一个氮化镓集成组芯片的所有连接焊盘均位于所述氮化镓集成组芯片的同一面，且朝向所述PCB板，并与所述PCB板上对应的焊盘焊接。

2.根据权利要求1所述的三相全桥电路，其特征在于：所述6个功率开关器件中的每一个分别对应于所述至少一个氮化镓集成组芯片中的一个氮化镓高电子迁移率晶体管结构。

3.根据权利要求2所述的三相全桥电路，其特征在于：

所述三相全桥电路包括六个倒装在所述PCB板上的氮化镓集成组芯片，每个所述氮化镓集成组芯片包括单个氮化镓高电子迁移率晶体管结构，其形式为封装后的芯片或未经封装的裸芯片；或者，

所述三相全桥电路包括三个倒装在所述PCB板上的氮化镓集成组芯片，每个所述氮化镓集成组芯片内部集成了半桥形式的氮化镓高电子迁移率晶体管结构，所述氮化镓集成组芯片的形式是封装后的芯片或未经封装的裸芯片；或者，

所述三相全桥电路包括两个倒装在所述PCB板上的氮化镓集成组芯片，每个所述氮化镓集成组芯片内部集成了三个氮化镓高电子迁移率晶体管结构，且所述氮化镓集成组芯片的形式是封装后的芯片或未经封装的裸芯片，其中一个氮化镓集成组芯片用作所述三相全桥电路高端的功率开关，另一个所述氮化镓集成组芯片用作所述三相全桥电路低端的功率开关；或者，

所述三相全桥电路包括一个倒装在所述PCB板上的氮化镓集成组芯片，所述氮化镓集成组芯片内部集成六个氮化镓高电子迁移率晶体管结构，且所述氮化镓集成组芯片的形式是封装后的芯片或未经封装的裸芯片。

4.根据权利要求1、2或3所述的三相全桥电路，其特征在于：

所述三相全桥电路的输入端、输出端和用于与外部电路连接的连接端均为所述PCB板上的焊盘电极。

5.根据权利要求3或4所述的三相全桥电路，其特征在于：

所述氮化镓集成组芯片的内部还包括用于驱动内部氮化镓高电子迁移率晶体管结构的驱动电路，所述氮化镓集成组芯片内部每一个氮化镓高电子迁移率晶体管结构对应一个驱动电路。

6.根据权利要求3、4或5所述的三相全桥电路，其特征在于：

所述氮化镓集成组芯片中的一个、部分或全部氮化镓高电子迁移率晶体管结构的D极焊盘和S极焊盘之间连接有快恢复特性的二极管。

7.根据权利要求2所述的三相全桥电路，其特征在于：

所述氮化镓高电子迁移率晶体管结构为E-Mode GaN HEMT或Cascode级联的GaN HEMT，所述Cascode级联的GaN HEMT由D-Mode GaN HEMT和LVMOSFET构成。

8.一种智能功率模块，其特征在于，该智能功率模块内部的三相全桥电路采用上述权利要求1至7任一所述的三相全桥电路。

9.根据权利要求8所述的智能功率模块，其特征在于，

所述智能功率模块还包括：方便外部控制器驱动和/或保护所述智能功率模块IPM的驱动组件和/或保护组件；

所述驱动组件和/或所述保护组件分别借助于所述PCB板上的焊盘电极与所述三相全桥电路连接。

10.根据权利要求8或9所述的智能功率模块，其特征在于，

所述三相全桥电路的输入端和输出端均连接到所述智能功率模块IPM的引脚上作为所述IPM连接外部电路或负载的端口。