[发明专利]GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片在审
| 申请号： | 201810166863.4 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108389804A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王川宝;李亮;王强栋;马杰;付兴中;崔玉兴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结 表面生长 金属层 半导体技术领域 简化工艺步骤 第一金属层 工艺成本 降低器件 烧结工艺 烧结过程 烧结区域 生产效率 合金层 热阻 背面 空洞 金属 生长 | ||
1.一种GaN芯片的烧结方法，其特征在于，包括：
在GaN芯片的背面生长第一金属；
在所述第一金属层的表面生长Au金属层；
在所述Au金属层与待烧结区域对应的区域的表面生长Au/Sn合金层；
通过Au/Sn烧结工艺对生长Au/Sn合金层后的GaN芯片进行烧结。
2.如权利要求1所述的GaN芯片的烧结方法，其特征在于，所述在GaN芯片的背面生长第一金属之前，所述方法还包括：
将所述GaN芯片键合在载体上，其中，所述GaN芯片的正面与所述载体接触。
3.如权利要求2所述的GaN芯片的烧结方法，其特征在于，所述通过Au/Sn烧结工艺对生长Au/Sn合金层后的GaN芯片进行烧结，包括：
将所述GaN芯片与所述载体分离并进行切割；
使用自动烧结台将切割后的所述GaN芯片烧结在热沉载体上，其中，烧结温度为315℃至325℃。
4.如权利要求1所述的GaN芯片的烧结方法，其特征在于，所述在GaN芯片的背面生长第一金属，包括：
通过溅射工艺在所述GaN芯片的背面溅射第一金属层。
5.如权利要求1所述的GaN芯片的烧结方法，其特征在于，所述在所述第一金属层的表面生长Au金属层，包括:
通过电镀工艺在所述第一金属层的表面电镀Au金属层。
6.如权利要求1所述的GaN芯片的烧结方法，其特征在于，所述在所述Au金属层的表面与待烧结区域对应的区域生长Au/Sn合金层，包括：
通过光刻工艺在所述Au金属层的表面与第一区域对应的区域覆盖光刻胶层，其中，所述第一区域为除所述烧结区域以外的区域；
通过电镀工艺在覆盖光刻胶层后的所述Au金属层的表面电镀Au/Sn合金层；
去除所述光刻胶层。
7.如权利要求1所述的GaN芯片的烧结方法，其特征在于，所述第一金属层为Ti/Au层、TiW/Au层或Ti/Ni/Au层。
8.如权利要求1所述的GaN芯片的烧结方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为400纳米至600纳米；所述Au金属层的厚度为3微米至5微米；所述Au/Sn合金层的厚度为3微米至7微米。
9.如权利要求1至8任一项所述的GaN芯片的烧结方法，其特征在于，所述Au/Sn合金层中Au的质量分数为70％至80％。
10.一种待烧结的GaN芯片，包括GaN芯片，其特征在于，所述GaN芯片的背面覆盖第一金属层；所述第一金属层的表面覆盖Au金属层，所述Au金属层与烧结区域对应的区域的表面覆盖Au/Sn合金层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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