[发明专利]一种单晶硅太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)在P型单晶硅片的上表面形成纹理化层；

(2)在所述P型单晶硅片的上表面形成N型硅层；

(3)在所述N型硅层上沉积氮化硅钝化层，并对所述氮化硅钝化层进行刻蚀处理以在预备形成上电极的区域形成开口，以暴露所述N型硅层；

(4)在所述P型单晶硅片的上表面旋涂含有乙酰烷氧基二异丙醇铝的溶液，并进行退火处理，以在所述氮化硅钝化层的表面和侧面以及暴露的N型硅层的表面形成氧化铝层；

(5)在所述P型单晶硅片的下表面依次旋涂含有硫化钨二维纳米材料的溶液和含有硫化钛二维纳米材料的溶液，并进行退火处理，以形成复合界面层；

(6)在所述P型单晶硅片的上表面形成上电极，并在所述P型单晶硅片的下表面形成下电极；

其中，在所述步骤(4)中，旋涂含有乙酰烷氧基二异丙醇铝的溶液的次数为3-6次，且每次旋涂工序之后直接进行一次退火处理，然后再进行下一次的旋涂工序，含有乙酰烷氧基二异丙醇铝的溶液中的乙酰烷氧基二异丙醇铝的浓度为0.2-0.5mg/ml，每次旋涂的转速为3000-5000转/分钟，每次旋涂的时间为1-5分钟，每次退火处理的具体工艺为：在空气中，在300-600℃的温度下热处理30-60分钟；

其中，在所述步骤(5)中，含有硫化钨二维纳米材料的溶液中的硫化钨二维纳米材料的浓度为0.2-1mg/ml，含有硫化钛二维纳米材料的溶液中的硫化钛二维纳米材料的浓度为0.5-1.5mg/ml，旋涂的转速为2000-4000转/分钟，每次旋涂的时间为1-3分钟，退火处理的温度是100-150℃，退火处理的时间为10-20分钟。

2.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，通过热扩散工艺向所述P型单晶硅片中扩散磷以形成N型磷掺杂层，或者通过离子注入工艺向所述P型单晶硅片中注入磷，并进行热处理以形成N型磷掺杂层。

3.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，通过激光刻蚀工艺形成所述开口。

4.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(6)中，所述上电极的材质为银，所述下电极的材质为铝。

5.一种单晶硅太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1-4任一项所述的方法制备形成的。