[发明专利]图像读取装置和半导体装置在审
| 申请号： | 201810177776.9 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108632482A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 岛骏一 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H04N1/00 | 分类号： | H04N1/00;H04N1/56;H04N1/04;H04N1/46 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 图像读取装置 受光元件 读取 半导体装置 光电转换 图像读取 图像 像素 光源 芯片 分光灵敏度 荧光色 | ||
1.一种图像读取装置，其读取包含荧光色的图像，其特征在于，该图像读取装置具有：
第一光源，其在第一波长处具有最大发光强度；
第二光源，其在第二波长处具有最大发光强度，该第二波长比所述第一波长更长；以及
图像读取芯片，其读取所述图像，
所述图像读取芯片具有像素，该像素包含受光元件，该受光元件接收来自所述图像的光而进行光电转换，
所述受光元件进行光电转换的分光灵敏度对于波长为400nm以上500nm以下的光最大。
2.根据权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，
所述第一波长为400nm以上500nm以下，
所述受光元件进行光电转换的分光灵敏度在比所述第一波长更短的波长侧最大。
3.根据权利要求1或2所述的图像读取装置，其特征在于，
所述受光元件形成于n型的半导体衬底。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的图像读取装置，其特征在于，
所述第一光源的点亮时间比所述第二光源的点亮时间短。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的图像读取装置，其特征在于，
所述第一光源的发光强度比所述第二光源的发光强度弱。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的图像读取装置，其特征在于，
所述受光元件对700nm的波长的光进行光电转换的分光灵敏度是对所述第一波长的光进行光电转换的分光灵敏度的0.7倍以下。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的图像读取装置，其特征在于，
所述受光元件对700nm的波长的光进行光电转换的分光灵敏度是对所述第一波长的光进行光电转换的分光灵敏度的0.5倍以下。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的图像读取装置，其特征在于，
所述受光元件对600nm的波长的光进行光电转换的分光灵敏度是对所述第一波长的光进行光电转换的分光灵敏度的0.85倍以下。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的图像读取装置，其特征在于，
所述荧光色是用荧光笔涂上的区域，
所述图像包含用所述荧光笔涂上的区域。
10.一种半导体装置，其特征在于，
该半导体装置具有像素，该像素包含接收来自图像的光而进行光电转换的受光元件，
所述受光元件进行光电转换的分光灵敏度对于波长为400nm以上500nm以下的光最大。
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