[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810201159.8 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108573958A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 长谷川尚 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;马建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属膜 多晶硅电阻 泄漏电阻 体单元 半导体装置 电路元件 覆盖电极 覆盖 电路 电阻体单元 氮化硅膜 电极部 电连接 电阻 调制 分割 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：
衬底；
泄漏电阻电路元件，其形成于所述衬底的一个主面侧，由多个多晶硅电阻体单元构成；
第一金属膜，其以分别单独覆盖所述多个多晶硅电阻体单元的方式被分割成多个；
一体的第二金属膜，其在所述第一金属膜上覆盖所述泄漏电阻电路元件整体；以及
氮化硅膜，其形成于所述第二金属膜上，
多个所述第一金属膜分别由覆盖所述多晶硅电阻体单元中的电极部的部分和覆盖电极部以外的部分构成，
覆盖所述电极部以外的所述部分与各自覆盖的所述多晶硅电阻体单元电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在从所述氮化硅膜侧俯视时，所述第二金属膜的最外周比所述泄漏电阻电路元件的最外周靠外侧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置还具有侧壁部，该侧壁部竖立设置于所述泄漏电阻电路元件的周围，并与所述第二金属膜连接。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具有连接所述衬底和所述第一金属膜的第一连接孔、以及连接所述第一金属膜和所述第二金属膜的第二连接孔，
所述侧壁部由埋设于所述第一连接孔中的金属膜和埋设于所述第二连接孔中的金属膜构成。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视时，在形成有所述泄漏电阻电路元件的区域与形成有所述侧壁部的区域之间的区域具有多晶硅盖。
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