[发明专利]拍摄方法及装置有效

专利信息
申请号: 201810206490.9 申请日: 2018-03-13
公开(公告)号: CN108462837B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 李飞;罗义军 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H04N5/235 分类号: H04N5/235;H04N17/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 江舟;董文倩
地址: 518057 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 拍摄 方法 装置
【说明书】:

本发明提供了一种拍摄方法及装置,其中,该方法包括:确定摄像头在拍摄运动画面,则缩短曝光时间,获取缩短曝光时间后的当前输出的输出图像,依据当前图像确定在此种场景下拍摄是否会引起条带效应,依据检测结果实时调整曝光时间,使得拍摄的图像尽可能的避免条带效应。采用上述技术方案,解决了相关技术中图像传感器曝光时可能出现条带,影响图像效果的问题,通过调整曝光时间避免了图像中的条带效应,保证了图像质量。

技术领域

本发明涉及摄像领域,具体而言,涉及一种拍摄方法及装置。

背景技术

在相关技术中,针对运动场景的拍照对拍照器件要求非常高,其中比较关键的一点是需要很短的曝光时间才能避免运动模糊,针对短跑篮球羽毛球等需要1/500s甚至更短的曝光时间才能凝固住运动瞬间,避免图像运动模糊。用户可能在室外拍摄也可能在室内拍摄,室内拍摄的光源有可能是直流光源,也可能是低频的交流电光源,但是在交流电光源的情况下,过短的曝光时间拍出的照片上会产生明暗交织的条纹。对于手机用户来说,需要自动识别场景光源,在低频交流光源下能够拍出没有条纹的光源,在直流光源下能够缩短曝光时间拍出更精彩的运动图片是其需要的功能。

交流电光源的情况下,过短的曝光时间拍出的照片上会产生明暗交织的条纹原因如下:手机摄像头的感光元器件采用的是互补金属氧化物半导体传感器(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor,简称为CMOS),其曝光采用的是行曝光,这样一帧图像中的不同行曝光开始和结束的时间是不相同的。而交流电源的频率有两种标准:50Hz(大陆,欧洲)和60Hz (中国台湾、日本、美国)的正弦波形,当然能量是没有方向性的,因此对应的能量是一个频率为100Hz和120Hz的波形,图1是根据相关技术中的交流电流的频率示意图。图1中的英文含义如下:电力来源Sources of Electricity;Dark可以意为黑暗,但是以英文在技术领域内的含义为准确含义;闪烁带宽Flicker band。

这样在使用交流电的光源环境中,如果曝光时间不是交流电的1/2周期的整数倍时,每行相同曝光时间内得到的光的能量是不同的,如图2所示,图2是根据相关技术中每行曝光时间内的得到的光能量的示意图。

在图像上会出现明暗的条纹,如图3所示,图3是根据相关技术中的交流电场景下拍摄的图像出现明暗条纹的示意图。

相关技术中,市面量产的cmos sensor高亮度交流电光源下,会出现的条带banding问题。

图像传感器是将光信号转换成电信号的半导体器件。相关技术中,传统的图像传感器包括电荷耦合器件(Charge Coupled Device,简称为CCD) 图像传感器、互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,简称为CMOS)图像传感器。由于CMOS图像传感器具有低功耗和高信噪比的优点,因此在图像传感器领域应用比较广泛。

公开号CN101212580A的中国专利已经公开一种的CMOS图像传感器,其单个像素单元电路图4所示,图4是根据相关技术中的CMOS图像传感器单个像素单元的电路图,如图4所示,其中主要包括光电检测器 PPD,传输管T1,复位管T2,源跟随器T3,以及选择管T4。光电检测器 PPD为从光能生成电荷的光电二极管,并在A点积累电荷,传输管T1在栅极接收使能/读取信号tck,将A处的电荷运送到浮动扩散区B。复位管 T2则通过其栅极接收复位信号rst,设置A以及B处的电压回复到期望电平(如VDD)并排除B处的电荷,以此来复位。源跟随器T3在其栅极接收B处的电压,并因此用作源跟随器,且选择管T4的栅极接收行选择信号row_sel(其可在CMOS图像传感器的其他电路生成或执行),输出来自源跟随器T3的电压。

上述传统的CMOS图像传感器通常采用逐行滚动曝光的方法,简单来讲,先进行第一行的曝光,过一个行时间第二行开始曝光,再过一个行时间第三行开始曝光,依次类推直至所有行均实现曝光。在这种方法中,虽然每一行开始曝光的时间不同,但是所有行的曝光时间长度都一样。

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