[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810217839.9 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108400216A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 赵炆兼;贾钊;杨凯;陈凯轩;张国庆 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 陈晓云 |
| 地址： | 225000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 键合层 外延片 镜面反射层 单晶层 介质层 介质孔 硅片 制备 欧姆接触层 电极 截止层 金属层 衬底 对位 键合 剥离 暴露 | ||
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
提供一外延片；
在所述单晶层之上形成具有若干介质孔的介质层；
在所述介质层之上依次形成镜面反射层和第一键合层，使所述镜面反射层与所述介质孔暴露的所述单晶层形成遂穿效应；
将完成上述步骤的所述外延片与具有第二键合层的硅片对位贴位，使所述第一键合层和所述第二键合层键合；
剥离所述外延片的衬底和截止层，使所述外延片的欧姆接触层形成电极；
在所述硅片的与所述第二键合层相反的一面形成金属层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述单晶层之上形成具有若干介质孔的介质层的工艺，包括：
通过涂布工艺在所述单晶层之上形成介质层；
通过涂布工艺在所述介质层上形成光刻胶；
通过光刻工艺在所述光刻胶上形成对应所述若干介质孔的图案；
以形成所述图案的所述光刻胶为掩膜板，通过刻蚀工艺在所述介质层形成所述若干介质孔；
通过剥离工艺去除所述掩膜板。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镜面反射层的镀材金属的功函数大于设定功函数阈值。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述介质层之上依次形成镜面反射层和第一键合层，包括：
通过蒸镀工艺在所述介质层之上依次形成镜面反射层和第一键合层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层的厚度为通过半导体中量子阱发光波长与介质层的折射率计算得到。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶层的掺杂浓度大于浓度阈值。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述外延片的欧姆接触层形成电极的工艺，包括：
通过蚀刻工艺使所述外延片的欧姆接触层形成电极。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅片的与所述第二键合层相反的一面形成金属层的工艺，包括：
通过涂布工艺在所述硅片的与所述第二键合层相反的一面形成金属层。
9.一种LED芯片，其特征在于，基于权利要求1-8任一项所述的LED芯片的制备方法制备。
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