[发明专利]具有有源器件调谐的反射型相位偏移器

权利要求书

1.一种相位偏移器，包括：

第一RF端子和第二RF端子；

参考电势端子；

集总元件LC网络，连接至所述第一RF端子和所述第二RF端子以及所述参考电势端子；

第一有源半导体器件和第二有源半导体器件，连接至所述集总元件LC网络并连接至所述参考电势端子，所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件中的每个有源半导体器件包括控制端子以及第一输出端子和第二输出端子；

第二独立电压端子，连接至所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件的所述第一输出端子；

其中所述集总元件LC网络呈现跨所述第一RF端子和所述第二RF端子的电抗，所述电抗将在所述第一RF端子和所述第二RF端子之间的RF信号的相位进行偏移，

其中所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件被配置用于通过控制跨所述第一RF端子和所述第二RF端子的所述电抗来调谐所述RF信号的相位偏移，以及

其中所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件的阻抗能够通过所述第二独立电压端子独立控制。

2.根据权利要求1所述的相位偏移器，其中，所述集总元件LC网络包括：

第一串联分支，包括串联连接在所述第一RF端子与所述第一有源半导体器件的所述第一输出端子之间的电容性元件；

第二串联分支，包括串联连接在所述第二RF端子与所述第二有源半导体器件的所述第一输出端子之间的电容性元件；以及

第一并联分支，包括连接在所述第一串联分支与所述参考电势端子之间的第一电感性元件、以及连接在所述第二串联分支与所述参考电势端子之间的第二电感性元件。

3.根据权利要求2所述的相位偏移器，其中，所述集总元件LC网络进一步包括第二并联分支和第三并联分支，其中所述第一并联分支、所述第二并联分支和所述第三并联分支中的每个分支包括：

第一电感器，直接连接在所述第一串联分支与所述参考电势端子之间；

第一电容器，直接连接在所述第一串联分支和所述第二串联分支之间；以及

第二电感器，直接连接在所述第二串联分支与所述参考电势端子之间。

4.根据权利要求3所述的相位偏移器，其中，所述第一串联分支和所述第二串联分支中的每个串联分支包括：

第一电容器，直接连接在所述第一并联分支和所述第二并联分支之间；以及

第二电容器，直接连接在所述第二并联分支和所述第三并联分支之间。

5.根据权利要求4所述的相位偏移器，进一步包括：

第一独立电压端子，连接至所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件的所述控制端子。

6.根据权利要求5所述的相位偏移器，其中，所述相位偏移器进一步包括：

第一RF扼流圈和第二RF扼流圈，分别直接电连接在所述第二独立电压端子与所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件的所述第一输出端子之间；

第三RF扼流圈和第四RF扼流圈，分别直接电连接在所述第一独立电压端子与所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件的所述控制端子之间；以及

第一DC阻断电容器和第二DC阻断电容器，分别直接电连接在所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件的所述第一输出端子与所述第一串联分支和所述第二串联分支的所述第二电容器之间。

7.根据权利要求1所述的相位偏移器，其中，所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件包括MOSFET器件。

8.根据权利要求7所述的相位偏移器，其中，所述第一有源半导体器件和所述第二有源半导体器件是LDMOS器件。