[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201810226534.4 | 申请日: | 2018-03-19 |
公开(公告)号: | CN108807323A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 佐藤幸弘;清原俊范 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/495;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;王娟娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 接合 接合面 半导体芯片 接合部 绝缘膜 开口部 封固 制造 | ||
本发明提供半导体器件及其制造方法,能提高半导体器件的性能。一实施方式的半导体器件具有导线(12),其在形成于半导体芯片的绝缘膜上的开口部(13H1)处,在一个接合面(SEt1)的多个部位接合。另外,半导体器件具有以与接合面(SEt1)接触的方式封固上述半导体芯片及导线(12)的封固体。接合面(SEt1)具有供导线(12)的接合部(12B1)接合的区域(SER1)、供导线(12)的接合部(12B2)接合的区域(SER2)、以及位于区域(SER1)与区域(SER2)之间的区域(SER3)。区域(SER3)的宽度(WH3)比区域(SER1)的宽度(WH1)及区域(SER2)的宽度(WH2)小。
技术领域
本发明涉及半导体器件及其制造方法,例如涉及连接有导线的引线的一部分被树脂封固体封固的半导体器件。
背景技术
在日本特表2000-503491号公报(专利文献1)中记载了一种在位于半导体芯片上表面的多个电极焊盘上连接有多条导线的功率半导体器件。另外,在专利文献1中记载了一种在多个电极焊盘中的一部分焊盘中,在电极焊盘的多个部位连接有导线的构造。
另外,在日本特开昭61-290747号公报(专利文献2)中记载了一种将接合焊盘和测试用焊盘借助布线连接的构造。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2000-503491号公报
专利文献2:日本特开昭61-290747号公报
发明内容
本申请发明人对半导体器件的性能提高进行了研究。例如,具有在半导体芯片的一个电极焊盘的多个部位接合一根导线的技术。在半导体芯片的电极形成面由作为保护膜的绝缘膜覆盖并在电极焊盘的多个部位接合导线的情况下,通过增大在保护膜上形成的开口部的开口面积,从而使导线容易连接。但是,已经判明了:由于构成电极焊盘的金属材料与用于封固导线的树脂材料之间的接合界面的强度较弱,因此电极焊盘中未连接导线且从保护膜露出的部分与封固导线的树脂(树脂封固体)会剥离。即使在电极焊盘与树脂封固体剥离了的情况下,也不会立即损害半导体器件的功能。但是,若考虑半导体器件的产品寿命等长期的产品品质,则优选能够抑制电极焊盘与树脂封固体之间的剥离。
其他课题和新的特征根据本说明书的记载及附图可以明确。
一实施方式的半导体器件具有在形成于半导体芯片的绝缘膜上的第1开口部处与一个接合面的多个部位接合的导线。另外,半导体器件具有以与上述接合面接触的方式对上述半导体芯片及上述导线进行封固的封固体。上述接合面具有与上述导线的第1接合部接合的第1区域、与上述导线的第2接合部接合的第2区域、及位于上述第1区域与上述第2区域之间的第3区域。上述第3区域的宽度比上述第1区域的宽度及上述第2区域的宽度小。
发明效果
根据上述一实施方式,能够提高半导体器件的性能。
附图说明
图1是示意性地示出一实施方式的半导体器件所具有的电路的一例的说明图。
图2是示出图1所示的场效应晶体管的元件构造例的要部剖视图。
图3是图1所示的半导体器件的俯视图。
图4是图3所示的半导体器件的仰视图。
图5是在将图3所示的封固体除掉后的状态下示出半导体器件的内部构造的透视俯视图。
图6是沿着图5的A-A线的剖视图。
图7是将图5所示的半导体芯片的上表面周边放大示出的放大俯视图。
图8是沿着图7的A-A线的放大剖视图。
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