[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201810263524.8 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN108695177B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 川岛崇功;大野裕孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/495 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 高培培;车文 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种半导体装置及其制造方法,良好地进行引线框与半导体芯片的定位。是通过使用夹具将半导体芯片连接于引线框来制造半导体装置的方法。所述半导体芯片在一个面上具有主电极。所述引线框具有接合用凸部和在所述接合用凸部的周围配置的由凸形状或凹形状构成的定位部。所述制造方法包括:以在所述接合用凸部与所述夹具之间空出间隔的状态使所述夹具卡合于所述定位部的工序;使所述夹具卡合于所述半导体芯片的工序;及在使所述定位部和所述半导体芯片卡合于所述夹具的状态下,将所述接合用凸部经由焊料连接于所述半导体芯片的所述主电极的工序。
技术领域
本说明书公开的技术涉及半导体装置及其制造方法。
背景技术
专利文献1公开了引线框具有接合用凸部且接合用凸部连接于半导体芯片的主电极连接的半导体装置。通过引线框的接合用凸部,能确保用于设置信号配线的空间。通过向引线框插入定位用的销,来抑制半导体芯片与引线框之间的位置偏离。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2009-146950号公报
发明内容
【发明要解决的问题】
在如专利文献1那样采用具有接合用凸部的引线框的情况下,在主电极上钎焊接合用凸部时,存在产生位置偏离的情况。当相对于半导体芯片的主电极而引线框的接合用凸部的位置偏离时,难以从半导体芯片向引线框传递热量。因此,半导体装置的散热性下降。在专利文献1的方法中,需要用于向引线框插入销的孔,在孔的位置会阻碍散热。因此,在本说明书中,提供一种不阻碍散热而能够进行引线框与半导体芯片的定位的技术。
【用于解决问题的手段】
本说明书公开的半导体装置的制造方法中,使用夹具将半导体芯片连接于引线框。所述半导体芯片在一个面上具有主电极。所述引线框具有接合用凸部和在所述接合用凸部的周围配置的由凸形状或凹形状构成的定位部。所述制造方法包括:以在所述接合用凸部与所述夹具之间空出间隔的状态使所述夹具卡合于所述定位部的工序;使所述夹具卡合于所述半导体芯片的工序;及在所述夹具卡合于所述定位部和所述半导体芯片的状态下,将所述接合用凸部经由焊料连接于所述半导体芯片的所述主电极的工序。
在该制造方法中,由于夹具卡合于引线框的定位部,因此能抑制引线框与夹具的位置偏离。而且,由于夹具卡合于半导体芯片,因此能抑制半导体芯片与夹具的位置偏离。因此,经由夹具将引线框与半导体芯片定位。因此,能抑制引线框与半导体芯片之间的位置偏离。在这样经由夹具定位后的状态下将半导体芯片的主电极经由焊料接合于引线框的接合用凸部。因此,能抑制接合用凸部相对于主电极发生位置偏离,能够防止半导体装置的散热性的下降。而且,在该方法中,定位部由凸形状或凹形状构成,因此定位部不会阻碍散热。因此,根据该制造方法,能够稳定地制造出散热性高的半导体装置。
另外,本说明书提供一种散热性高的半导体装置。该半导体装置具有:在一个面上具有主电极的半导体芯片;和引线框。所述引线框具有接合用凸部和在所述接合用凸部的周围配置的由凸形状或凹形状构成的定位部。所述接合用凸部经由焊料而连接于所述主电极。
该半导体装置能够通过上述的本说明书公开的制造方法而制造。该半导体装置中,由于定位部由凸形状或凹形状构成,因此定位部不会阻碍散热而散热性高。
附图说明
图1是引线框的立体图。
图2是引线框的主端子的放大俯视图。
图3是图1、2的III-III线的剖视图。
图4是图1、2的IV-IV线的剖视图。
图5是安装有夹具的状态的引线框的立体图。
图6是安装有夹具的状态的主端子的与图2对应的放大俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造