[发明专利]一种LED芯片在审
| 申请号： | 201810273304.3 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108470810A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朱秀山 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流阻挡结构 半导体层 电极 发光二极管 第二电极 第一电极 反射能力 全反射角 反射 发光 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
发光二极管，所述发光二极管包括第一半导体层以及与所述第一半导体层连接的第二半导体层；
电流阻挡结构，所述电流阻挡结构包括第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构，所述第一电流阻挡结构位于所述第一半导体层上，所述第二电流阻挡结构位于所述第二半导体层上；
电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极通过第一电流阻挡结构连接所述第一半导体层，所述第二电极通过第二电流阻挡结构连接所述第二半导体层。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极包括第一部分和与所述第一部分连接的第二部分，与所述第一部分连接的所述第一电流阻挡结构的横截面积大于所述第一部分的横截面积。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，与所述第二部分连接的所述第一电流阻挡结构为断续设置的结构。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡结构包括二氧化硅层或者分布式布拉格反射镜层，所述分布式布拉格反射镜层由二氧化硅与五氧化三钛形成。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述二氧化硅层采用化学气相沉积制备，所述二氧化硅层的厚度为
6.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述分布式布拉格反射镜层的厚度为2um～5um。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的LED芯片，其特征在于，所述电极通过氧化铟锡层连接所述电流阻挡层。
8.根据权利要求1-6中任意一项所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的形状匀呈具有多个梳柱的梳状，所述第一电极的梳柱与所述第二电极的梳柱交替分布。
9.根据权利要求1-6中任意一项所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层通过多量子阱层与所述第二半导体层连接。
10.根据权利要求1-6中任意一项所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层的材料为N型氮化镓，所述第二半导体层的材料为P型氮化镓。
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