[发明专利]一种LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片制造方法，其特征在于，包括：

提供外延结构，所述外延结构包括第一衬底与外延层，所述外延层包括自下至上依次形成于所述第一衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；

刻蚀所述外延层，直至剩余部分厚度的所述N型外延层，以形成隔离凹槽；

在所述P型外延层上形成导电层，并进行图案化，暴露出部分所述P型外延层；

在所述外延层和导电层上形成DBR反射层，并进行图案化，暴露出部分所述导电层及所述隔离凹槽底部的N型外延层；

形成接触层，所述接触层至少覆盖暴露出的部分所述导电层及所述隔离凹槽底部的N型外延层；

在所述接触层上形成绝缘层，并进行图案化，暴露出所述隔离凹槽底部的所述接触层，在所述绝缘层及暴露出的所述接触层上形成键合金属层；

提供第二衬底，将所述第二衬底与所述键合金属层进行键合并去除所述第一衬底。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述DBR反射层为包含Si₃N₄和SiO₂的叠层结构。

3.根据权利要求1所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，在去除所述第一衬底之后还包括：在所述N型外延层上形成保护层。

4.根据权利要求3所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，在所述N型外延层上形成保护层之后还包括：对所述保护层进行刻蚀，暴露出部分所述N型外延层。

5.根据权利要求4所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，对所述保护层进行刻蚀之后还包括：对暴露出的部分所述N型外延层进行刻蚀，暴露出部分所述DBR反射层。

6.根据权利要求5所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，对暴露出的部分所述N型外延层进行刻蚀之后还包括：对暴露出的部分所述DBR反射层进行刻蚀，暴露出部分所述接触层。

7.根据权利要求6所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，对暴露出的部分所述DBR反射层进行刻蚀之后还包括：在暴露出部分所述接触层上形成P型衬垫。

8.根据权利要求3所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，在去除所述第一衬底之后，形成所述保护层之前，所述LED芯片的制造方法还包括：对所述N型外延层进行表面粗化处理。

9.根据权利要求1所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述外延层还包括非掺杂外延层，所述非掺杂外延层位于所述第一衬底与所述N型外延层之间。

10.根据权利要求9所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，在去除所述第一衬底之后，对所述N型外延层进行表面粗化处理之前，所述LED芯片的制造方法还包括：去除所述非掺杂外延层。

11.根据权利要求10所述的一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述非掺杂外延层、N型外延层及P型外延层的材质均为氮化镓。

12.一种LED芯片结构，其特征在于，采用由权利要求1-10中任意一项所述的一种LED芯片的制造方法制得。