[发明专利]一种全彩微显示器件的制备方法有效
申请号: | 201810326385.9 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN108447965B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 李阳;邵根荣 | 申请(专利权)人: | 广东普加福光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/52;H01L33/56;G09F9/33 |
代理公司: | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人: | 潘雯瑛 |
地址: | 529000 广东省江*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微芯片 蓝光 制备 绿色荧光材料 微显示器件 树脂胶层 排布 全彩 纳米压印技术 荧光材料树脂 全彩显示 三色像素 压印模板 图案化 基板 胶层 涂覆 激发 覆盖 | ||
本发明涉及一种全彩微显示器件的制备方法,结合纳米压印技术,只需在基板上转移单色的蓝光Micro LED微芯片,利用事先制备的图案化压印模板将红色或绿色荧光材料树脂胶层按照特定排布精确覆盖于对应的蓝光Micro LED微芯片上,通过蓝光Micro LED微芯片激发红色或绿色荧光材料树脂胶层,以及未涂覆有荧光材料树脂胶层的蓝光Micro LED微芯片,得到在微芯片表面特定排布的红、绿、蓝三色像素点,即能够实现Micro LED微芯片的全彩显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种全彩微显示器件的制备方法。
背景技术
Micro LED即微型化LED,通常是指在传统LED芯片结构基础上,将LED芯片尺寸规格缩小到200微米以内的尺寸,将红、绿、蓝三色Micro LED按照一定的规则排列在薄膜晶体二极管或是CMOS上,就形成了能够实现全彩显示的微器件。此种显示器具有独立控制的显示画素,具有独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和超高色彩饱和度等特点,并且Micro LED微显示器件由于具有自发光的技术特性,还可以实现柔性、透明显示等,而其耗电量仅约为液晶面板的10%。
目前基于Micro LED的微显示应用主要为单色显示,通过相对简单的对单色LED微芯片进行切割、转移和贴合技术途径实现,但在目前显示领域中仅仅实现单色对于应用是远远不够的,这就要求我们开发出具有全彩显示性能的Micro LED缩微芯片。而相对于单色显示,全彩显示分别需要通过对红色、绿色和蓝色微LED芯片进行转移、贴合并按照一定规则排列在薄膜晶体二极管或CMOS上,并实现红色、绿色和蓝色LED微芯片的单独驱动和控制,再利用三原色混合原理实现全彩显示。此种方案需要分别就红、绿、蓝三种颜色LED微芯片进行制程操作。因此如何大范围、高良率地实现微米级LED芯片的成功转移、贴合和与驱动IC线路成功焊接将是实现的关键,其工艺复杂性相对单色Micro LED大大增加。如果有一种简单的技术方案或途径,就能够实现基于Micro LED微显示器件的全彩显示,将会大大降低Micro LED产业发展的技术壁垒,也能够显著加快整个显示行业的发展进程。
通过将红色或绿色荧光材料均匀精确地涂覆在单色蓝光Micro LED表面,利用蓝光芯片发出的光激发红色或绿色荧光材料得到相应的红色或绿色荧光,再与原有的蓝光荧光复合,即能够在同一晶圆材料上,通过光转换的形式,实现Micro LED微显示器件的全彩显示。但对于这种方法,如何实现红色或绿色荧光材料在蓝光Micro LED微芯片表面的精确涂覆将是一个难点。
发明内容
基于此,本发明的目的在于,提供一种全彩微显示器件的制备方法,能够实现红、绿、蓝显示像素图案化的精确控制。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:一种全彩微显示器件的制备方法,包括以下步骤:
S1:将蓝光Micro LED微芯片转移至衬底上,并按照阵列进行排布;
S2:将含有第一压印荧光材料的树脂胶水涂覆于蓝光Micro LED微芯片上;
S3:选取第一压印模板,所述第一压印模板具有开口与蓝光Micro LED微芯片尺寸一致的空腔,所述空腔分为三组,第一组空腔的深度为蓝光Micro LED微芯片的厚度与需涂覆的第一压印荧光材料树脂胶层的厚度之和,第二组空腔和第三组空腔的深度均为蓝光Micro LED微芯片的厚度;将第一压印模板的空腔和蓝光Micro LED微芯片精确对位;
S4:对第一压印模板进行施压,使含有第一压印荧光材料的树脂胶水填充于第一压印模板的第一组空腔内;
S5:对压印后的含有第一压印荧光材料的树脂胶水进行固化处理,然后移去第一压印模板,形成精确覆盖于蓝光Micro LED微芯片上的第一压印荧光材料树脂胶层;
S6:将含有第二压印荧光材料的树脂胶水涂覆于蓝光Micro LED微芯片上;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东普加福光电科技有限公司,未经广东普加福光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810326385.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。