[发明专利]半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法在审
| 申请号： | 201810330533.4 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN110137150A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 彭勃澍;何政霖;李志成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 第一表面 电介质层 封装 第二表面 互连结构 互连元件 图案化导电层 衬底 制造 邻近 延伸 申请 | ||
1.一种衬底，其包括：
第一电介质层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一图案化导电层，其邻近于所述第一电介质层的所述第一表面且包括互连结构；以及
互连元件，其从所述第一电介质层的所述第一表面延伸到所述第一电介质层的所述第二表面且由所述互连结构围绕。
2.根据权利要求1所述的衬底，其中所述互连元件包括与所述第一电介质层接触的第二图案化导电层和所述第一图案化导电层的所述互连结构。
3.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第一图案化导电层嵌入于所述第一电介质层中，且所述第一电介质层的所述第一表面与所述第一图案化导电层的表面大体上共面。
4.根据权利要求3所述的衬底，其中所述互连元件包括第一部分和第二部分，其中所述互连元件的所述第一部分包括圆柱形结构且所述互连元件的所述第二部分包括圆锥形结构，且其中所述互连元件的所述第一部分的宽度小于所述互连元件的所述第二部分的宽度。
5.根据权利要求4所述的衬底，其中所述第一电介质层的所述第一表面与所述互连元件的所述第一部分的表面大体上共面。
6.根据权利要求4所述的衬底，其中所述互连元件的所述第一部分的表面从所述第一电介质层的所述第一表面凹入。
7.根据权利要求1所述的衬底，其进一步包括由所述互连结构围绕且覆盖所述互连元件的第二电介质层。
8.根据权利要求1所述的衬底，其进一步包括邻近于所述第一电介质层的所述第二表面的第二图案化导电层，其中所述互连元件将所述第一图案化导电层电连接到所述第二图案化导电层。
9.根据权利要求8所述的衬底，其中所述互连元件包括第一部分和第二部分，且其中所述互连元件的所述第二部分具有上表面和下表面，且所述互连元件的所述第二部分从所述下表面到所述上表面逐渐变细。
10.根据权利要求9所述的衬底，其中所述第一电介质层的所述第二表面与所述互连元件的所述第二部分的所述下表面大体上共面。
11.根据权利要求9所述的衬底，其进一步包括定义开口的第三电介质层，其中所述互连元件由所述第三电介质层的所述开口暴露。
12.根据权利要求11所述的衬底，其中由所述第三电介质层暴露的所述互连元件的表面包含具有弯曲形状的部分。
13.根据权利要求12所述的衬底，其中所述互连元件的所述表面的宽度大于所述第三电介质层的所述开口的宽度。
14.根据权利要求11所述的衬底，其进一步包括安置于所述第三电介质层上且延伸到所述互连元件的导电衬垫，所述导电衬垫具有锚形状。
15.根据权利要求11所述的衬底，其中所述第二图案化导电层是晶种层。
16.一种衬底，其包括：
电介质层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一图案化导电层，其邻近于所述电介质层的所述第一表面且包括互连结构；以及
互连元件，其具有第一表面和第二表面且从所述第一表面到所述第二表面逐渐变细，
其中所述互连元件从所述电介质层的所述第一表面延伸到所述电介质层的所述第二表面，且由所述互连结构围绕。
17.根据权利要求16所述的衬底，其中所述互连元件进一步包括与所述电介质层接触的第二图案化导电层和所述第一图案化导电层的所述互连结构。
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