[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810343945.1 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108847437A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 胡红坡;董彬忠;张奕;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布拉格反射层 氮化物成核层 外延片 生长 发光二极管 衬底 平片 位错 晶粒 晶粒取向 外延结构 依次设置 直接生长 镂空图形 发光层 光电子 排布 取向 凸起 制作 覆盖 制造 | ||
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括平片衬底和依次设置在所述平片衬底上的氮化物成核层、布拉格反射层、u型GaN层、n型层、发光层和p型层，所述布拉格反射层上形成有周期性镂空图形，或者所述布拉格反射层包括在所述氮化物成核层上阵列排布的周期性凸起，所述u型GaN层生长在所述氮化物成核层上且覆盖所述布拉格反射层。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述布拉格反射层包括多层SiO2层、多层MgF2层、多层TiO2层、多层Nb2O5层中的任意一种，或者所述布拉格反射层包括交替层叠的SiO2层和TiO2层、交替层叠的SiO2层和Nb2O5层、交替层叠的MgF2层和TiO2层、交替层叠的MgF2层和Nb2O5层中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述布拉格反射层的厚度为0.1～5μm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述周期性镂空图形和所述周期性凸起的周期均为0.5～10μm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述周期性镂空图形包括阵列排布的多个柱形凹槽，所述周期性凸起包括多个柱形凸起。
6.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述氮化物成核层为GaN成核层、AlN成核层或AlGaN成核层。
7.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述氮化物成核层的厚度为10～100nm。
8.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述平片衬底包括平片蓝宝石衬底、平片GaN衬底、平片Si衬底、平片SiC衬底或平片ZnO衬底中的任意一种。
9.一种发光二极管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一平片衬底；
在所述平片衬底上依次外延生长氮化物成核层、布拉格反射层，所述布拉格反射层上形成有周期性镂空图形，或者所述布拉格反射层包括在所述氮化物成核层上阵列排布的周期性凸起；
在所述氮化物成核层上生长u型GaN层，并使所述u型GaN层覆盖所述布拉格反射层；
在所述u型GaN层上依次生长n型层、发光层和p型层。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在外延生长所述布拉格反射层时，所述制作方法包括：
在所述氮化物成核层上形成反射层薄膜；
刻蚀所述反射层薄膜至露出所述氮化物成核层，以形成所述周期性镂空图形或所述周期性凸起。
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