[发明专利]蚀刻后阶段监控叠对情形与临界尺寸的半导体图案

权利要求书

1.一种在蚀刻后阶段用来监控叠对情形与临界尺寸的半导体图案，包含：

第一倒T形图案，具有基部往第一方向延伸以及中间部从该基部往与该第一方向正交的第二方向延伸；以及

第二图案，邻近该第一倒T形图案的该基部并与该基部间隔，其中该第一倒T形图案与该第二图案由多个彼此间隔且往该第二方向延伸的间隔壁图案所构成，

其中该第一倒T形图案以该中间部为中线呈对称态样。

2.如权利要求1所述的在蚀刻后阶段用来监控叠对情形与临界尺寸的半导体图案，其中该些间隔壁图案是自对准双重图案。

3.一种在蚀刻后阶段用来监控叠对情形与临界尺寸的半导体测量方法，包含：

提供半导体图案，其中该半导体图案包含第一倒T形图案以及第二图案，该第一倒T形图案具有基部往第一方向延伸以及中间部从该基部往与该第一方向正交的第二方向延伸，该第二图案邻近该第一倒T形图案的该基部并与该基部间隔，其中该第一倒T形图案与该第二图案由多个彼此间隔且往该第二方向延伸的间隔壁图案所构成；

在蚀刻制作工艺后测量该基部与该第二图案之间的间隔以监控空白区域的临界尺寸；以及

在该蚀刻制作工艺后测量该基部在该第二方向上的宽度以监控线图案的临界尺寸，

其中该第一倒T形图案以该中间部为中线呈对称态样。

4.如权利要求3所述的在蚀刻后阶段用来监控叠对情形与临界尺寸的半导体测量方法，还包含计算该基部中该中间部两侧的该间隔壁图案的数目。

5.如权利要求3所述的在蚀刻后阶段用来监控叠对情形与临界尺寸的半导体测量方法，还包含检查该基部与该中间部之间的角落看是否有角钝化缺陷。

6.如权利要求3所述的在蚀刻后阶段用来监控叠对情形与临界尺寸的半导体测量方法，还包含检查该中间部的末端与角落看是否有叠对偏移的问题。