[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810387480.X | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807318A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李灿浩;郑显秀;柳翰成;李仁荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 衬底 通孔结构 绝缘层 导电结构 制造 穿透 环绕 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
绝缘层，位于所述衬底上，所述绝缘层包括沟槽；
至少一个通孔结构，穿透所述衬底且突出在所述沟槽的底表面上方；以及
导电结构，在所述沟槽中环绕所述至少一个通孔结构。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的顶表面、所述至少一个通孔结构的顶表面及所述导电结构的顶表面实质上共面。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层具有位于所述沟槽之外的第一顶表面、位于所述沟槽的底部处的第二顶表面及连接所述第一顶表面与所述第二顶表面的第三顶表面，所述第一顶表面界定所述沟槽的顶部，且所述第二顶表面位于所述第一顶表面与所述绝缘层的底表面之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽在所述沟槽的顶部处具有第一宽度且在所述沟槽的底部处具有第二宽度，且所述第一宽度大于所述第二宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个通孔结构与所述导电结构包含同一种金属材料。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
阻挡图案，沿所述沟槽的第一侧壁、所述沟槽的所述底部及所述沟槽的第二侧壁，所述第一侧壁是位于所述至少一个通孔结构与所述导电结构之间的侧壁，且所述第二侧壁是所述沟槽的位于所述导电结构与所述绝缘层之间的侧壁。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个通孔结构与所述导电结构包含彼此不同的金属材料。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层具有比所述衬底的热膨胀系数大的热膨胀系数。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层包括有机绝缘层及聚合物中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个通孔结构包括连接通孔结构及对准通孔结构，所述对准通孔结构与所述连接通孔结构间隔开，且所述对准通孔结构用作对准键。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电结构用作结合焊盘及再分布层中的一者。
12.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
绝缘层，位于所述衬底上，所述绝缘层界定沟槽，所述绝缘层具有位于所述沟槽之外的第一顶表面、位于所述沟槽的底部处的第二顶表面及连接所述第一顶表面与所述第二顶表面的第三顶表面，所述沟槽从所述绝缘层的所述第一顶表面延伸到在垂直方向上位于所述绝缘层的所述第一顶表面与所述绝缘层的底表面之间的点；
至少一个导电通孔结构，穿透所述衬底且突出在所述沟槽的底部上方；以及
至少一个导电结构，在所述沟槽中环绕所述至少一个导电通孔结构。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的所述第一顶表面、所述至少一个导电通孔结构的顶表面及所述至少一个导电结构的顶表面实质上共面。
14.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽在所述沟槽的顶部处具有第一宽度且在所述沟槽的底部处具有第二宽度，且所述第一宽度大于所述第二宽度。
15.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个导电通孔结构与所述至少一个导电结构包含同一种金属材料。
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