[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810395861.2 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108847435B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;乔楠;余雪平;程金连;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的AlN缓冲层、未掺杂GaN层、应力释放层、N型GaN层、多量子阱有源层及P型GaN层，其中，应力释放层包括N个周期的BN/BxGa1-xN超晶格结构，0.01<x<0.05，N为大于2的整数，所述应力释放层的厚度小于所述N型GaN层的厚度，所述未掺杂GaN层的厚度为1μm，所述应力释放层的厚度为1～2μm。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，在所述BN/BxGa1-xN超晶格结构中，BN子层的厚度为5～10nm，BxGa1-xN子层的厚度为10～20nm。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层包括30～40个周期的BN/BxGa1-xN超晶格结构。
4.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长AlN缓冲层；
在所述AlN缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长应力释放层，其中，所述应力释放层包括N个周期的BN/BxGa1-xN超晶格结构，0.01<x<0.05，N为大于2的整数；
在所述应力释放层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层；
在所述多量子阱有源层上生长P型GaN层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述应力释放层的生长温度为1100～1150℃。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述应力释放层的生长温度大于所述N型GaN层的生长温度。
7.根据权利要求4～6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述衬底上生长外延层结构之前，在氢气气氛下对所述衬底进行退火。
8.根据权利要求4～6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述AlN缓冲层上生长未掺杂GaN层之前，对所述AlN缓冲层进行原位退火处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810395861.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
