[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810401642.0 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108847436B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;顾小云 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 子层 蓝宝石 复合结构 外延结构 衬底 发光二极管 氮化铝层 交替层叠 氧化铝层 氧化铝 源层 半导体技术领域 未掺杂氮化镓层 氮化镓缓冲层 晶格常数 晶格失配 依次层叠 有效分散 氮化铝 正整数 晶格 突变 制造 | ||
1.一种发光二极管的外延结构，所述外延结构包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，其特征在于，所述外延结构还包括复合结构，所述复合结构设置在所述蓝宝石衬底和所述氮化镓缓冲层之间；所述复合结构包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置；每个所述第一子层为氮化铝层，每个所述第二子层为氧化铝层；所述(n+1)个第一子层的厚度沿所述复合结构的层叠方向逐层增大。
2.根据权利要求1 所述的外延结构，其特征在于，所述n个第二子层的厚度沿所述复合结构的层叠方向逐层减小。
3.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，各个所述第一子层的厚度为100埃～1000埃，各个所述第二子层的厚度为100埃～500埃。
4.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，3≤n≤7。
5.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括应力释放层，所述应力释放层设置在所述N型半导体层和所述有源层之间；所述应力释放层包括依次层叠的超晶格结构和单层结构；所述超晶格结构包括(m+1)个第三子层和m个第四子层，m为正整数，所述(m+1)个第三子层和所述m个第四子层交替层叠设置；每个所述第三子层为N型掺杂的铟镓氮层，每个所述第四子层为N型掺杂的氮化镓层；所述单层结构为没有掺杂的氮化镓层。
6.一种发光二极管的外延结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次形成复合结构、氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；
其中，所述复合结构包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置；每个所述第一子层为氮化铝层，每个所述第二子层为氧化铝层；所述(n+1)个第一子层的厚度沿所述复合结构的层叠方向逐层增大。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述(n+1)个第一子层形成时的温度沿所述复合结构的层叠方向逐层升高。
8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述n个第二子层的形成时的温度沿所述复合结构的层叠方向逐层降低。
9.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述(n+1)个第一子层形成时的压力相等，所述n个第二子层形成时的压力相等。
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