[发明专利]一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法在审
申请号: | 201810426612.5 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN108695178A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 叶宗兰 | 申请(专利权)人: | 平湖市超越时空图文设计有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 丽水创智果专利代理事务所(普通合伙) 33278 | 代理人: | 朱琴琴 |
地址: | 314299 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊接 固定框 微气孔 组装体 功率电子模块 半导体芯片 金属化陶瓷 衬底 焊片 清洁 清洗 后处理工序 回流设备 降低设备 组装工序 大气孔 焊接层 气孔率 助焊剂 放入 贴装 去除 冷却 残留 污染 维护 | ||
1.一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,该方法包括:
(1)组装工序:在金属化陶瓷衬底上放置固定框,在固定框内,依次放置焊片和半导体芯片;
(2)回流工序:将贴装好的半导体芯片、焊片、金属化陶瓷衬底作为一个组装体,放入回流设备内回流;
(3)回流后处理工序:完成回流工序的组装体冷却后,去除固定框,得到微气孔清洁组装体。
2.根据权利要求1所述的一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,所述的回流设备为真空回流炉,所述真空回流炉包括进气管、回流腔气密性壁体、导气孔、回流底板和出气管道,所述的进气管包括进气管道Ⅰ和进气管道Ⅱ,所述进气管道Ⅰ和所述进气管道Ⅱ相连,所述进气管道Ⅰ的一端通向回流炉外,所述进气管道Ⅱ设于所述真空回流炉内,所述进气管道Ⅱ上设有导气孔,所述回流腔气密性壁体设于回流炉内壁上,所述回流底板设于所述回流炉内的底面上,所述出气管道的一端通向回流炉外,另一端延伸至回流炉内,所述回流底板用于外接电源。
3.根据权利要求1或2所述的一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,所述的回流工序具体步骤如下:
(1)载入组装体至真空回流炉腔体;
(2)关闭进气管道和出气管道的阀门;
(3)抽真空至真空度为0-100mbar;
(4)通过进气管道向真空回流炉腔体内充入还原性气体;
(5)活化待焊接表面:通过所述回流底板进行加热,使所述回流底板上升至一定温度,在还原性气氛下,所述金属化陶瓷衬底上的金属层、焊片、半导体芯片表面的氧化物被还原,而成为清洁的表面;
(6)焊接:继续对所述回流底板加热,使其温度继续升高,达到所述焊片的熔点时,所述焊片逐渐熔化,金属间化合物生成;
(7)焊接层形成:抽真空,至真空度为0-100mbar;焊接层内的大部分气体也被抽出,形成微小气孔的焊接层;
(8)向真空回流炉的腔体内充入惰性气体,回流完成。
4.根据权利要求3所述的一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,所述的固定框为Al合金或Ti合金。
5.根据权利要求4所述的一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,所述的还原性气体为氮气、氢气、甲酸气体中的一种或几种。
6.根据权利要求1,2,4,5任一项所述的一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,所述的金属化陶瓷衬底为Al2O3、AlN、Si3N4、含ZrO2相变陶瓷的材料中的一种。
7.根据权利要求6所述的一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,所述金属化陶瓷衬底的金属层为铜、镍、铝中的一种。
8.根据权利要求1,2,4,5,7任一项所述的一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,所述焊片的合金成分是液相线温度低于450℃的软钎焊料,所述焊料包含SnAu、PbSnAg、SnSb、SnAgCu、SnAg、SnPb中的一种,所述焊片的厚度为60-160μm的薄焊片。
9.根据权利要求4,5任一项所述的一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,所述焊接温度为450℃,所述焊接是在真空环境或非氧化性环境中进行,所述真空环境的真空度为0-100mbar,所述非氧化性环境包括惰性环境或还原气体环境中的一种。
10.根据权利要求9所述的一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,其特征在于,所述活化待焊接表面是在50℃-200℃的温度范围内进行的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造