[发明专利]一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法在审
申请号: | 201810426612.5 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN108695178A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 叶宗兰 | 申请(专利权)人: | 平湖市超越时空图文设计有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 丽水创智果专利代理事务所(普通合伙) 33278 | 代理人: | 朱琴琴 |
地址: | 314299 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊接 固定框 微气孔 组装体 功率电子模块 半导体芯片 金属化陶瓷 衬底 焊片 清洁 清洗 后处理工序 回流设备 降低设备 组装工序 大气孔 焊接层 气孔率 助焊剂 放入 贴装 去除 冷却 残留 污染 维护 | ||
本发明公开了一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,该方法包括:(1)组装工序:在金属化陶瓷衬底上放置固定框,在固定框内,依次放置焊片和半导体芯片;(2)回流工序:将贴装好的半导体芯片、焊片、金属化陶瓷衬底作为一个组装体,放入回流设备内回流。(3)回流后处理工序:完成回流工序的组装体冷却后,去除固定框,得到微气孔清洁组装体。采用本发明的焊接方法获得的焊接层具有气孔率小于2%,且无大气孔,并且焊接后没有助焊剂残留,产品无需清洗,省去了清洗费用,并且不会对环境造成污染,降低设备维护成本的优点。
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域,具体地,涉及一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法。
背景技术
目前功率模块的软钎焊工艺主要是先在衬底上丝网印刷焊膏,然后在印刷了焊膏的焊盘上贴装芯片等元件,再把组装体送入到设备内进行回流焊接的。有两种情况,第一种是组装体经过隧道式非真空回流炉焊接,因为这种回流炉回流时仅充惰性气体保护焊接,而不能抽真空,气体不能有效排出,所以焊接气孔一般很大,典型地,气孔率可达10%以上;另一种情况是组装体经过真空式回流炉焊接,因为这种回流炉具有密封腔体,既能充惰性气体保护,又能抽真空,典型地,气孔率可以小于2%。
以上两种使用焊膏软钎焊的工艺有都很大的缺点,第一种是气孔率很大,难于满足功率模块焊接要求,故现在使用较少。第二种虽然气孔率较小,但是回流过程会产生大量助焊剂残留,设备维护时间长,利用率较低,且产品要经过化学液体清洗,费用较高,并产生环境保护方面的问题。
发明内容
针对上述技术中存在的不足之处,本发明提供了一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法。
为了达到上述目的,本发明的技术方案如下:
本发明的目的是提供一种功率电子模块的微气孔清洁焊接方法,该方法包括:
(1)组装工序:在金属化陶瓷衬底上放置固定框,在固定框内,依次放置焊片和半导体芯片;
(2)回流工序:将贴装好的半导体芯片、焊片、金属化陶瓷衬底作为一个组装体,放入回流设备内回流。
(3)回流后处理工序:完成回流工序的组装体冷却后,去除固定框,得到微气孔清洁组装体。
所述的回流设备为真空回流炉,所述真空回流炉包括进气管、回流腔气密性壁体、导气孔、回流底板和出气管道,所述的进气管包括进气管道Ⅰ和进气管道Ⅱ,所述进气管道Ⅰ和所述进气管道Ⅱ相连,所述进气管道Ⅰ的一端通向回流炉外,所述进气管道Ⅱ设于所述真空回流炉内,所述进气管道Ⅱ上设有导气孔,所述回流腔气密性壁体设于回流炉内壁上,所述回流底板设于所述回流炉内的底面上,所述出气管道的一端通向回流炉外,另一端延伸至回流炉内,所述回流底板用于外接电源。
所述的回流工序具体步骤如下:
(1)载入组装体至真空回流炉腔体;
(2)关闭进气管道和出气管道的阀门;
(3)抽真空至真空度为0-100mbar;
(4)通过进气管道向真空回流炉腔体内充入还原性气体;
(5)活化待焊接表面:通过所述回流底板进行加热,使所述回流底板上升至一定温度,在还原性气氛下,所述金属化陶瓷衬底上的金属层、焊片、半导体芯片表面的氧化物被还原,而成为清洁的表面;
(6)焊接:继续对所述回流底板加热,使其温度继续升高,达到所述焊片的熔点时,所述焊片逐渐熔化,金属间化合物生成;
(7)焊接层形成:抽真空,至真空度为0-100mbar;焊接层内的大部分气体也被抽出,形成微小气孔的焊接层;
(8)向真空回流炉的腔体内充入惰性气体,回流完成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造