[发明专利]金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法

权利要求书

1.一种金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在基板上涂覆第一负光刻胶，制作牺牲层：在基板上涂第一负光刻胶，进行前烘，在基板上覆盖具有微器件图形的掩膜板进行曝光，显影，将微器件的图形转移到第一负光刻胶胶膜上，并进行烘烤成坚硬胶膜；

步骤S2、制作种子层：在图形化的第一负光刻胶胶膜上溅射导电金属，得到导电金属种子层；

步骤S3、制作掩蔽层：在导电种子层上涂覆正性光刻胶，经过前烘、在基板上覆盖具有辅助结构图形的掩膜板进行曝光、显影后，将辅助结构的图形转移到正性光刻胶胶膜上，即形成掩蔽层；

步骤S4、对种子层进行腐蚀：对图形化的掩蔽层进行腐蚀，去除掩蔽层以外的导电金属种子层，然后去除正性光刻胶，得到辅助结构图形的种子层；

步骤S5、制作具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜：在具有微器件图形的金属基板和具有辅助结构图形的种子层上涂覆第二负光刻胶，经过前烘，在基板上覆盖具有微器件结构图形和辅助结构图形的掩膜板进行曝光，后烘，显影，得到具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜；

步骤S6、微电铸金属：将制作好的胶膜放入电铸液中进行微器件的电铸；

步骤S7、去除光刻胶及辅助结构电铸层，得到微器件。

2.根据权利要求1所述的金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，其特征在于，步骤S1中所述第一负光刻胶采用BN303光刻胶。

3.根据权利要求1所述的金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，其特征在于，步骤S2中所述导电金属采用铜。

4.根据权利要求1所述的金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，其特征在于，步骤S3中所述正性光刻胶采用AZ703光刻胶。

5.根据权利要求1所述的金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，其特征在于，步骤S5中所述第二负光刻胶采用SU-8光刻胶。

6.根据权利要求1所述的金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，其特征在于，步骤S7中得到微器件具体过程为：将电铸好的微器件浸入第二负光刻胶去胶液中，待第二负光刻胶去除干净后，将微器件转移到第一负光刻胶去胶液中，待第一负光刻胶溶解及辅助结构电铸层与微器件分离脱落时，得到所需的微器件。

7.根据权利要求1所述的金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，其特征在于，步骤S1前还包括：步骤S0、对基板进行预处理：首先使用精密研磨抛光机对金属基板进行研磨、抛光处理，然后进行清洗并烘干。