[发明专利]磊晶晶圆以及其制造方法

权利要求书

1.一种磊晶晶圆的制造方法，透过磊晶成长，于基板上通过n型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成n型磊晶层，于该n型磊晶层上通过p型掺杂剂掺杂用气体的导入形成p型磊晶层，其中，

该n型磊晶层及该p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，

该n型磊晶层的形成具有形成第一n型层的步骤，该形成第一n型层的步骤为形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一n型层，

该p型磊晶层的形成具有形成第一p型层的步骤以及形成第二p型层的步骤，该形成第一p型层的步骤为于该第一n型层上形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一p型层，该形成第二p型层的步骤为于该第一p型层的上方形成该化合物半导体的组成为固定且不含氮且较该第一p型层的载子浓度为高的第二p型层，

该第一n型层的厚度较该第一p型层的厚度为薄。

2.如权利要求1所述的磊晶晶圆的制造方法，其中使该第一n型层的厚度为2至6μm，使该第一p型层的厚度为10至30μm。

3.一种磊晶晶圆，具有基板、于该基板上形成的n型磊晶层以及于该n型磊晶层上形成的p型磊晶层，其中，

该n型磊晶层及该p型磊晶层为含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层，

该n型磊晶层具有第一n型层，该第一n型层为该化合物半导体的组成为固定且含有固定浓度的氮，

该p型磊晶层具有第一p型层以及第二p型层，该第一p型层为于该第一n型层上形成且该化合物半导体的组成为固定又含有固定浓度的氮，该第二p型层为于该第一p型层的上方形成且该化合物半导体的组成为固定又不含氮并较该第一p型层的载子浓度为高，

该第一n型层的厚度较该第一p型层的厚度为薄。

4.如权利要求3所述的磊晶晶圆，其中该第一n型层的厚度为2至6μm，该第一p型层的厚度为10至30μm。