[发明专利]重叠校正方法和使用该方法的控制系统

说明书

一种校正重叠的方法，包括：在第一衬底上形成第一图案；在第一图案上形成第二图案；获得第二图案的第一重叠误差轮廓并从第一重叠误差轮廓获得第一重叠校正轮廓；在第二图案上形成第三图案；获得第三图案的第二重叠误差轮廓并从第二重叠误差轮廓获得第二重叠校正轮廓；以及在第二衬底上形成第二图案，其中在第二衬底上形成第二图案包括：确定第二重叠校正轮廓是否具有不可校正的模型参数；并且当第二重叠校正轮廓具有不可校正的模型参数时，获得初步校正轮廓以校正待在第二衬底上形成的第二图案的位置。

对相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2017年5月15日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0060157号的优先权，其公开内容通过引用整体并入于此。

技术领域

本发明构思涉及一种用于制造半导体器件的方法和系统，并且具体地，涉及一种校正精细图案的重叠误差的方法和使用该方法控制系统。

背景技术

通常，半导体器件通过多个单元工艺和多个检查工艺来制造。可以执行单元工艺以在衬底上形成精细图案。单元工艺可以包括例如沉积工艺、扩散工艺、热处理工艺、光刻工艺、抛光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺或清洁工艺。具体地，使用光刻工艺在衬底上形成掩膜图案。精细图案通过蚀刻被掩膜图案暴露的衬底或下层来形成。

可以执行检查工艺以测量精细图案，然后确定单元工艺是否正常执行。然而，可以每次单元工艺完成后执行检查工艺。另外，检查工艺可以获得关于图案的精细失真的信息。该信息用于在另一衬底上形成精细图案，使得在随后的单元工艺中不会出现失准。换句话说，检查工艺包括测量重叠误差。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种校正重叠的方法，可以包括：使用第一制造系统在第一衬底上形成第一图案；使用第一制造系统在第一图案上形成第二图案；获得第二图案相对于第一图案的第一重叠误差轮廓，并且从第一重叠误差轮廓获得第一重叠校正轮廓；使用第二制造系统在第二图案上形成第三图案；获得第三图案相对于第二图案的第二重叠误差轮廓，并且从第二重叠误差轮廓获得第二重叠校正轮廓；以及使用第一制造系统在第二衬底上形成第二图案。在第二衬底上形成第二图案可以包括：确定第二重叠校正轮廓是否具有不能用于校正第二制造系统的控制参数的不可校正的模型参数；以及当第二重叠校正轮廓具有不可校正的模型参数时，获得第一制造系统的初步校正轮廓，以在第二衬底上形成第二图案之前校正第二图案的位置。

根据本发明构思的示例性实施例，一种校正重叠的方法，可以包括：使用第一制造系统在第一衬底上形成第一图案；使用第二制造系统在第一图案上形成第二图案；获得第二图案相对于第一图案的重叠误差轮廓，并且从重叠误差轮廓获得重叠校正轮廓；以及使用第一制造系统在第二衬底上形成第一图案。在第二衬底上形成第一图案可以包括：确定重叠校正轮廓是否具有不能用于校正第二制造系统的控制参数的不可校正的模型参数；以及当重叠校正轮廓具有不可校正的模型参数时，获得第一制造系统的初步校正轮廓，以在第二衬底上形成第一图案之前校正第一图案的位置。

根据本发明构思的示例性实施例，一种控制系统，可以包括：处理器；以及存储器，被配置为存储要由处理器执行的程序代码。程序代码可以被配置为执行以下步骤：从第一衬底上的第一图案和第二图案的重叠误差获得重叠误差轮廓；通过使用重叠误差获得包括重叠误差的模型参数的重叠校正轮廓；确定重叠校正轮廓是否具有不能用于关于后续步骤校正第二制造系统的控制参数的不可校正的模型参数；以及当重叠校正轮廓具有不可校正的模型参数时，关于先前步骤、在第一制造系统中获得初步校正轮廓，初步校正轮廓能够用于抵消不可校正的模型参数以校正第二衬底上的第一图案的位置。

附图说明

在附图中，相同的附图标记可以指代相同的元件。

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图。