[发明专利]工艺腔室、生产设备以及工艺控制方法在审

专利信息
申请号: 201810482466.8 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN110499498A 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 吴振;马静霞;王晓尉 申请(专利权)人: 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/52
代理公司: 11477 北京尚伦律师事务所 代理人: 白瑶君<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 观察窗 工艺腔室 截止组件 腔体内部 连通 阻隔 工艺进程 工艺控制 化学物质 膜层沉积 生产设备 使用寿命 用户体验 腔体 观察 污染
【说明书】:

发明是关于一种工艺腔室、生产设备以及工艺控制方法。该工艺腔室包括腔体与至少一个观察窗,所述工艺腔室还包括截止组件;所述截止组件用于使得所述至少一个观察窗与所述腔体内部阻隔或连通。该技术方案中,在工艺腔室采用LPCVD工艺进行膜层沉积时,截止组件可以阻隔观察窗与腔体内部环境,避免了化学物质对观察窗的污染,提高了观察窗的使用寿命;在工艺腔室完成LPCVD工艺之后,截止组件可以连通观察窗与腔体内部,便于用户通过观察窗观察工艺腔室的工艺进程,提高了用户体验。

技术领域

本发明涉及终端控制技术领域,尤其涉及一种工艺腔室、生产设备以及工艺控制方法。

背景技术

通常LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压化学气相沉积)生产设备,由多个真空腔室组成,包括进片室、预热腔室、工艺腔室、冷却腔室和出片室等几个腔室。

玻璃基板装载至传输机构后在进片室进行矫正,然后该传输机构将该玻璃基板传输至预热腔室,此时预热腔室抽真空并对玻璃基板进行加热,待玻璃基板加热至预设温度后,传输机构将玻璃基板传输到工艺腔室。工艺腔室设置有位置传感器,若该位置传感器检测到玻璃基板到达预设位置时,向工艺腔室的处理器发送触发信号,该处理器即可指示工艺腔室采用LPCVD工艺对该玻璃基板进行膜层沉积。LPCVD工艺完成后,传输机构将该玻璃基板传输至冷却腔室进行冷却,并从出片室传出。

相关技术中,工艺腔室中的环境非常恶劣,为了避免位置传感器受到环境的影响,可以将位置传感器设置在工艺腔室外侧。如图1所示,在工艺腔室10相对的两侧上分别设置玻璃观察窗法兰101和玻璃观察窗法兰102,然后将位置传感器的发送端103a固定在玻璃观察窗法兰101上,将位置传感器的接收端103b固定在玻璃观察窗法兰102上,位置传感器的发送端103a发出的测试信号可以穿过玻璃观察窗法兰101进入工艺腔室10内部并照射至预设测试点,该预设测试点即为玻璃基板103的定位点。若该预设测试点存在玻璃基板103,则测试信号由于玻璃基板103的遮挡导致无法穿过玻璃观察窗法兰102被位置传感器的接收端103b接收,因此在位置传感器的接收端103b接收到的信号强度小于或等于第一预设阈值时,说明玻璃基板103位于预设位置;若该预设测试点不存在玻璃基板103,则测试信号经过传输之后可以穿过玻璃观察窗法兰102被位置传感器的接收端103b接收,因此在位置传感器的接收端103b接收到的信号强度大于或等于第二预设阈值时,说明玻璃基板103未到达预设位置。

但是由于工艺腔室10需要经常采用LPCVD工艺进行膜层沉积,因此玻璃观察窗法兰101和玻璃观察窗法兰102会因为化学物质的污染出现透光率下降的情况,而玻璃观察窗法兰101和玻璃观察窗法兰102的透光率下降会影响位置传感器的检测结果,导致位置传感器的检测精度降低,不利于LPCVD生产设备的持续生产。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题,本发明实施例提供一种工艺腔室、生产设备以及工艺控制方法。所述技术方案如下:

根据本发明实施例的第一方面,提供一种工艺腔室,包括腔体与至少一个观察窗,所述工艺腔室还包括截止组件;

所述截止组件用于使得所述至少一个观察窗与所述腔体内部阻隔或连通。

本发明的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:在工艺腔室采用LPCVD工艺进行膜层沉积时,截止组件可以阻隔观察窗与腔体内部环境,避免了化学物质对观察窗的污染,提高了观察窗的使用寿命;在工艺腔室完成LPCVD工艺之后,截止组件可以连通观察窗与腔体内部,便于用户通过观察窗观察工艺腔室的工艺进程,提高了用户体验。

在一个实施例中,所述工艺腔室还包括:

位置传感器发送端,通过第一观察窗与所述腔体连接,用于将测试信号通过所述第一观察窗发送至所述腔体内部;

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